[发明专利]取向性磷灰石型氧化物离子导体及其制造方法

权利要求书

1.一种由复合氧化物构成的取向性磷灰石型氧化物离子导体，该复合氧化物的特征在于，其由A_9.33+x[T_6-yM_y]O_26.00+z表示，式中的A为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或两种以上的元素，式中的T为Si或Ge或包含其两者的元素，式中的M为选自由B、Ge、Zn、Sn、W和Mo组成的组中的一种或两种以上的元素，式中的x为-1～1，式中的y为1～3，式中的z为-2～2，A的摩尔数相对于M的摩尔数的比例A/M为3～10，

利用Lotgering法测定的取向度为0.60以上。

2.一种取向性磷灰石型氧化物离子导体的制造方法，其具备被称为“气相-固相扩散工序”的工序，该工序的特征在于，在含有M元素的气相中将A_2+xTO_5+z所表示的前体加热，通过该M元素与所述前体的反应而使该前体为取向磷灰石结构，M为选自由B、Ge、Zn、Sn、W和Mo组成的组中的一种或两种以上的元素，式中的A为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或两种以上的元素，式中的T为Si或Ge或包含其两者的元素，式中的x为-1～1，z为-2～2，

所述取向性磷灰石型氧化物离子导体利用Lotgering法测定的取向度为0.60以上。

3.如权利要求2所述的取向性磷灰石型氧化物离子导体的制造方法，其特征在于，在气相-固相扩散工序中，将所述A_2+xTO_5+z所表示的前体和含有所述M元素的化合物放入容器内进行加热，从而使含有所述M元素的化合物气化，使该容器内的气氛为含有所述M元素的气相气氛，使该M元素与所述前体反应。

4.如权利要求2或3所述的取向性磷灰石型氧化物离子导体的制造方法，其特征在于，在气相-固相扩散工序中，在含有所述M元素的气相中于1000℃～1700℃将所述A_2+xTO_5+z所表示的前体加热。

5.如权利要求2或3所述的取向性磷灰石型氧化物离子导体的制造方法，其特征在于，所述A_2+xTO_5+z所表示的前体是通过下述制造方法得到的，该制造方法包括在1100℃～1700℃将上述式A_2+xTO_5+z所表示的化合物加热而使其烧结的工序。

6.一种电极接合体，其具备在权利要求1所述的取向性磷灰石型氧化物离子导体的双面层积电极而成的构成。