[发明专利]荧光材料、闪烁体、闪烁体阵列以及放射线检测器有效

专利信息
申请号: 201580052427.9 申请日: 2015-09-30
公开(公告)号: CN106715646B 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 新田英雄 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;C09K11/00;G01T1/20;G01T1/36
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;王磊
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 荧光 材料 闪烁 阵列 以及 放射线 检测器
【说明书】:

荧光材料具有以(Gd1‑α‑β‑γRαCeβTbγ)3+a(Al1‑u‑vGauScv)5‑bO12所表示的组成,上述R是Y和Lu中的至少一种,上述a、b、α、β、γ、u、v满足下述范围,0≤a≤0.1,0≤b≤0.1,0≤α≤0.8,0.0003≤β≤0.005,0.02≤γ≤0.2,0.27≤u≤0.75,0≤v≤0.02,相对密度为99%以上,有效原子序数为35以上60以下。

技术领域

本发明涉及含有Gd、Al、Ga的组成的石榴石型的氧化物的荧光材料、闪烁体、闪烁体阵列以及放射线检测器。

背景技术

闪烁体是吸收α线、β线、γ线、X射线等放射线,发出荧光的部件。通过组合闪烁体和检测荧光的光电二极管,能够用于检测所照射的放射线。例如,被利用于断层撮影等的医疗领域、非破坏检查等的工业领域、随身行李检查等的安全领域、高能物理学等的学术领域等多种多样的应用领域。

专利文献1公开了如下的多晶闪烁体,其具有以通式:(Gd1-w-x-y-zYwLuxREyCez)3+a(Al1-u-sGauScs)5-aO12(其中,RE是Pr、Dy和Er之中的至少一种元素,0<a≤0.15,0.2≤w≤0.5,0≤x≤0.5,0<y≤0.003,0.0003≤z≤0.0167,0.2≤u≤0.6,0≤s≤0.1)表示的组成,Fe的含量相对于包含Fe在内的总量为0.05~1质量ppm,Si的含量相对于包含Si在内的总量为0.5~10质量ppm,被X射线激发时在30℃~40℃的发光强度的温度系数为-0.15%/℃~+0.15%/℃。

根据专利文献1,记载了通过将Gd置换成Y或者Y和Lu,能够在抑制发光强度的降低的同时改善温度系数。

专利文献2中公开了由通式:(Gd1-α-β-γTbαLuβCeγ)3(Al1-xGax)aOb,0<α≤0.5,0<β≤0.5,0.0001≤γ≤0.1,0<x<1,4.8≤a≤5.2,11.6≤b≤12.4所示的石榴石结构氧化物的多晶体构成的固体闪烁体。

根据专利文献2,记载了Tb对荧光有帮助,通过共掺Tb和Ce,提高发光强度和余辉特性。

专利文献3公开了如下的闪烁体,其由具有石榴石结构的发光物质构成,含有Gd、Y、Ce、Ga和Al,以(Gd1-x-y-zYxAyCez)3+u(Ga1-m-nAlmDn)5-uO12:wFO表示,A是Lu、La、Tb、Dy或者这些的组合,D是In、Sc或这些的组合,F是二价离子,0≤x<0.2,0<y<0.5,0.001<z<0.05,0<u<0.1,0≤n<0.2,0.3<m<0.6,以及10ppm≤w≤300ppm,并且y/x>1。

根据专利文献3,记载了通过使Tb相对于Y的比大于1,将Mg以外的二价的离子(例如Ca、Sr、Ba、Zn)作为掺杂剂使用,能够在衰减速度快、高发光强度的同时降低余辉。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2012-184397号公报

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