[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其在半导体衬底的第一区域具有第一MISFET，其中，

所述第一MISFET具有：

第一栅极绝缘膜，其在所述第一区域中设于所述半导体衬底上方；

第一栅电极，其设于所述第一栅极绝缘膜上方；

第一杂质区域，其在所述第一区域中构成以夹着所述第一栅电极的方式设于所述半导体衬底中的第一源极区域的一部分及第一漏极区域的一部分；

第一硅化物层，其形成于所述第一杂质区域上方且含有第一金属和硅；以及

第二硅化物层，其形成于所述第一栅电极的上部且含有所述第一金属和硅，

在所述第一硅化物层及所述第二硅化物层添加有与所述第一金属不同的第二金属，

所述第二硅化物层中的所述第二金属的浓度低于所述第一硅化物层中的所述第二金属的浓度，

在所述半导体衬底的与所述第一区域不同的第二区域还具有多个非易失性存储单元，

所述多个非易失性存储单元分别具有：

第二栅极绝缘膜，其在所述第二区域中设于所述半导体衬底上方；

第二栅电极，其设于所述第二栅极绝缘膜上方；

第三栅极绝缘膜，其在所述第二区域设于所述半导体衬底上方且具有电荷积累膜；

第三栅电极，其设于所述第三栅极绝缘膜上方；

第二杂质区域，其在所述第二区域构成以夹着所述第二栅电极及所述第三栅电极的方式设于所述半导体衬底中的第二源极区域的一部分及第二漏极区域的一部分；

第三硅化物层，其形成于所述第二杂质区域上方且含有所述第一金属和硅；

第四硅化物层，其形成于所述第二栅电极的上部且含有所述第一金属和硅；以及

第五硅化物层，其形成于所述第三栅电极的上部且含有所述第一金属和硅，

在所述第三硅化物层、所述第四硅化物层及所述第五硅化物层之中添加有所述第二金属，

所述第四硅化物层中及所述第五硅化物层中的所述第二金属的浓度低于所述第三硅化物层中的所述第二金属的浓度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

在所述半导体衬底的与所述第一区域及所述第二区域不同的第三区域还具有第二MISFET，

所述第二MISFET具有：

第四栅极绝缘膜，其在所述第三区域中设于所述半导体衬底上方；

第四栅电极，其设于所述第四栅极绝缘膜上方且由金属膜构成；

第三杂质区域，其在所述第三区域构成以夹着所述第四栅电极的方式设于所述半导体衬底中的第三源极区域的一部分及第三漏极区域的一部分；以及

第六硅化物层，其形成于所述第三杂质区域上方且含有所述第一金属和硅，

在所述第六硅化物层之中添加有所述第二金属，

所述第二硅化物层中的所述第二金属的浓度低于所述第六硅化物层中的所述第二金属的浓度。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述第四栅极绝缘膜含有Hf和O。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一金属是镍，所述第二金属是铂。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述第一MISFET是n沟道型MISFET，

连结所述第一MISFET的所述第一源极区域与所述第一漏极区域的方向是晶向指数为110或者100的方向。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一硅化物层的晶粒直径小于所述第二硅化物层的晶粒直径。