[发明专利]用于氘气回收的方法和设备有效
申请号: | 201580052624.0 | 申请日: | 2015-07-10 |
公开(公告)号: | CN107408521B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | M·里维拉;B·吴 | 申请(专利权)人: | 株式会社HPSP |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 秦振 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 回收 方法 设备 | ||
1.一种从高压退火处理系统的排气中回收至少第一退火气体的方法,所述高压退火处理系统用于在半导体制造过程中对多个基底进行退火,所述方法包括:
接收关于在高压退火处理系统中存在至少第一退火气体的信号;
用第二气体清洗气体回收系统;
将至少第一退火气体引导到气体回收系统,其中,至少第一退火气体和第二气体混合在一起以在气体回收系统中形成多种气体的混合物;
在引导之后,在气体回收系统的气体分离单元中分离所述多种气体,其中,气体分离单元从所述多种气体大体分离至少第一退火气体,以产生分离的退火气体;
将分离的退火气体运送至气体回收系统的热交换单元;
在气体回收系统的气体监测系统中测试分离的退火气体以监测分离的退火气体的品质,其中,如果分离的退火气体中具有的至少第一退火气体的浓度低于预定阈值,则:
将分离的退火气体运送回气体分离单元,以对分离的退火气体进行再处理,和
再次测试分离的退火气体的品质;
将分离的退火气体运送至气体回收系统的气体加压单元,其中,分离的退火气体被加压到高于大气压,以产生加压的第一退火气体;
将加压的第一退火气体运送到纯化系统;和
在高压退火处理系统中再次使用加压的第一退火气体之前,储存纯化的并加压的第一退火气体至少一段时间。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,至少通过确定分离的退火气体中的至少第一退火气体的浓度来测试或再次测试分离的退火气体的品质。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,将分离的第一退火气体运送回气体分离单元包括使分离的第一退火气体再次通过热交换单元。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,第一退火气体是氘气,并且第二气体是惰性气体。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,气体分离单元将气体加热到预定温度以便有效地提取第一退火气体。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,通过自动处理控制装置传递关于在高压退火处理系统的排气中存在至少第一退火气体的信号。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,自动处理控制装置仅在确定第一退火气体的浓度高于预定阈值时传递所述信号。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述信号从控制高压退火处理系统的第一数据处理系统接收,并且所述信号被控制回收第一退火气体的所述方法的第二数据处理系统接收。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述信号源自存储在第一数据处理系统中的第一配方,并且当由第一数据处理系统使用的第二配方不包括预定量的第一退火气体时,第一数据处理系统不向第二数据处理系统提供所述信号。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,第二气体是与高压退火处理系统中用作外缓冲气体的气体相同的气体,所述外缓冲气体在高压退火处理系统的退火室中环绕第一退火气体。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,纯化的并加压的第一退火气体储存在一个或多个容器的第一库中,一个或多个容器的第二库联接至高压退火处理系统,以提供第一退火气体用于退火处理,而回收的第一退火气体储存在第一库中,并且其中,第二库能够与第一库切换。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造