[发明专利]信号传送绝缘设备以及功率半导体模块有效
申请号: | 201580052629.3 | 申请日: | 2015-08-19 |
公开(公告)号: | CN106716622B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 菅健一;钓本崇夫;盐田裕基;诸熊健一;折田昭一;为谷典孝;井上贵公;鱼田紫织 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01F17/00;H01F19/00;H01F27/32;H01L27/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 于丽 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信号 传送 绝缘 设备 以及 功率 半导体 模块 | ||
1.一种信号传送绝缘设备,其特征在于,具备:
第1线圈;
第2线圈,与所述第1线圈对置,与所述第1线圈一起构成变压器;
第1绝缘膜,设置于对置的所述第1线圈和所述第2线圈之间,由第1电介质构成;
第2绝缘膜,包括第1膜和第2膜,该第2绝缘膜由电阻率比所述第1电介质低的第2电介质构成,所述第1膜设置于与第二主面相接的面与所述第1绝缘膜之间,且填充并覆盖所述第1线圈,所述第二主面是所述第1线圈的与和所述第2线圈对置的第一主面相反的一侧的面,所述第2膜在与所述第二主面相接的面与所述第1膜邻接地设置;以及
第3绝缘膜,包括第3膜和第4膜,该第3绝缘膜由电阻率比所述第1电介质低的第3电介质构成,所述第3膜设置于与第三主面相接的面与所述第1绝缘膜之间,所述第三主面是所述第2线圈的与所述第1线圈对置的面,所述第4膜在与所述第三主面相接的面与所述第3膜邻接,且填充并覆盖所述第2线圈。
2.一种信号传送绝缘设备,其特征在于,具备:
第1线圈;
第2线圈,与所述第1线圈对置,与所述第1线圈一起构成变压器;
第1绝缘膜,设置于对置的所述第1线圈和所述第2线圈之间,由第1电介质构成;
第2绝缘膜,包括第1膜和第2膜,该第2绝缘膜由介电常数比所述第1电介质高的第2电介质构成,所述第1膜设置于与第二主面相接的面与所述第1绝缘膜之间,且填充并覆盖所述第1线圈,所述第二主面是所述第1线圈的与和所述第2线圈对置的第一主面相反的一侧的面,所述第2膜在与所述第二主面相接的面与所述第1膜邻接地设置;以及
第3绝缘膜,包括第3膜和第4膜,该第3绝缘膜由介电常数比所述第1电介质高的第3电介质构成,所述第3膜设置于与第三主面相接的面与所述第1绝缘膜之间,所述第三主面是所述第2线圈的与所述第1线圈对置的面,所述第4膜在与所述第三主面相接的面与所述第3膜邻接,且填充并覆盖所述第2线圈。
3.根据权利要求1或2所述的信号传送绝缘设备,其特征在于,
使与所述第1绝缘膜邻接的所述第1膜的所述第1绝缘膜侧的面平坦地形成,并且使所述第4膜的和与所述第3膜相接的面相反的一侧的面平坦地形成。
4.根据权利要求1或2所述的信号传送绝缘设备,其特征在于,
设置于与所述第1线圈的与和所述第2线圈对置的第一主面相反的一侧的第二主面相接的部分的所述第2膜被省略。
5.根据权利要求3所述的信号传送绝缘设备,其特征在于,
设置于与所述第1线圈的与和所述第2线圈对置的第一主面相反的一侧的第二主面相接的部分的所述第2膜被省略。
6.根据权利要求1或2所述的信号传送绝缘设备,其特征在于,具备:
产生有压缩应力的所述第1绝缘膜;和
产生有拉伸应力的所述第2绝缘膜以及所述第3绝缘膜。
7.根据权利要求3所述的信号传送绝缘设备,其特征在于,具备:
产生有压缩应力的所述第1绝缘膜;和
产生有拉伸应力的所述第2绝缘膜以及所述第3绝缘膜。
8.根据权利要求4所述的信号传送绝缘设备,其特征在于,具备:
产生有压缩应力的所述第1绝缘膜;和
产生有拉伸应力的所述第2绝缘膜以及所述第3绝缘膜。
9.根据权利要求5所述的信号传送绝缘设备,其特征在于,具备:
产生有压缩应力的所述第1绝缘膜;和
产生有拉伸应力的所述第2绝缘膜以及所述第3绝缘膜。
10.根据权利要求1或2所述的信号传送绝缘设备,其特征在于,具备:
产生有拉伸应力的所述第1绝缘膜;和
产生有压缩应力的所述第2绝缘膜以及所述第3绝缘膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造