[发明专利]超导线材用基板及其制造方法、以及超导线材有效

专利信息
申请号: 201580052715.4 申请日: 2015-10-23
公开(公告)号: CN106716559B 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: 黑川哲平;桥本裕介;冈山浩直;永石竜起;大木康太郎;本田元气 申请(专利权)人: 东洋钢钣株式会社;住友电气工业株式会社
主分类号: H01B12/06 分类号: H01B12/06;B32B15/01;B32B33/00;H01B5/02;H01B13/00
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 任梅;郑霞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 超导线材 基板 制造 超导特性 晶体方位 晶体取向 最表层 错开 金属
【说明书】:

本发明的目的在于,提供一种用于制造具有优异的超导特性的超导线材的超导线材用基板及其制造方法。超导线材用基板中,最表层的金属的晶体取向为c轴取向率99%以上,Δω为6°以下,且晶体方位自(001)[100]错开6°以上的面积的比例为每单位面积6%以下。

技术领域

本发明涉及超导线材用基板及其制造方法。另外,涉及使用了超导线材用基板的超导线材。

背景技术

超导线材是通过在金属基板上、或者在金属基板上层叠有单层或多层由氧化铈(CeO2)、氧化钇稳定氧化锆(YSZ)、氧化钇(Y2O3)等氧化物层等构成的中间层的基材上,层叠超导层(RE123膜、RE:Y、Gd、Ho等)而制造。

作为用于获得进行了晶体取向的超导层的技术,通过在哈斯特洛伊耐蚀镍基合金(ハステロイ)等无取向金属基板上成膜取向中间层而使晶体取向向超导层迁移的离子束辅助沉积成膜法(IBAD法)、通过使用双轴晶体取向的金属基板而使晶体取向向中间层、超导层迁移并成膜的方法(RABiTS法等)是公知的。考虑成膜速度等将来的生产效率时,后者的方法有利,但要想提高超导特性,需要使金属基板高度地进行双轴晶体取向。在此,金属基板的晶体取向性例如通过基板的最表层的c轴取向率、Δω(面外取向性的指标)或Δφ(面内取向性的指标)的值来评价。

作为这种金属基板(超导线材用基板),公知的是在不锈钢基板上层叠进行了晶体取向的铜,再在其上进一步层叠镍的基板。例如,在专利文献1中,公开了一种外延膜形成用取向基板,在被取向化的由铜构成的取向化金属层中包覆作为加强材料的金属基材而成,其特征在于,上述取向化金属层为具有取向度Δφ、Δω均为5~9°的取向性的金属,在上述取向化金属层的表面上具备由镀镍膜构成且厚度为100~5000nm的取向性改善层,所述取向化金属层表面上的取向度(Δφ及Δω)和上述取向性改善层表面上的取向度(Δφ及Δω)之差均为0.1~3.0°。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2012-229493号公报

发明内容

发明所要解决的课题

如上所述,现有超导线材用基板被制造成使进行了双轴晶体取向的金属基板的最表层的c轴取向率、Δω和Δφ的值设定为特定的值,c轴取向率越高、且Δω越小、Δφ越小、则得到超导特性越好的超导线材是公知的。

但是,现有超导线材中,即使是使用最表层的金属的晶体取向具有充分的c轴取向率、Δω及Δφ的金属基板的情况,使用该基板所得到的超导线材的超导特性也存在偏差。

因此,本发明的目的在于,提供用于制造具有优异的超导特性的超导线材的超导线材用基板及其制造方法。

用于解决课题的技术方案

本发明人等为了解决上述课题进行了深入研究,结果发现,可以获得超导线材用基板的最表层的金属的晶体取向具有特定的c轴取向率及Δω,且通过将最表层的晶体方位自(001)[100]错开特定的角度以上的面积的比例控制在规定范围内而提高了超导特性的超导线材,完成了发明。即,本发明的宗旨如下。

(1)一种超导线材用基板,最表层的金属的晶体取向为c轴取向率99%以上,Δω为6°以下,且晶体方位自(001)[100]错开6°以上的面积的比例为每单位面积6%以下。

(2)根据(1)所述的超导线材用基板,其中,最表层的金属的晶体取向为,Δφ为6°以下。

(3)根据(1)或(2)所述的超导线材用基板,其中,最表层的金属的晶体取向为,Δω及Δφ低于5°。

(4)根据(1)~(3)中任一项所述的超导线材用基板,其中,最表层由铜、镍或它们的合金构成。

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