[发明专利]烧结装置有效
申请号: | 201580052829.9 | 申请日: | 2015-09-09 |
公开(公告)号: | CN107004614B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 弗兰克·奥斯特瓦尔德;罗纳德·艾西尔;马汀·贝克尔;拉尔斯·保罗森;加赛克·鲁茨基;霍尔格·乌尔里奇 | 申请(专利权)人: | 丹佛斯硅动力有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李江晖 |
地址: | 德国弗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧结 装置 | ||
1.用于烧结至少一个电子组件(BG)的烧结装置(10),该烧结装置具有下模具(20)和上模具(30),该上模具可朝向该下模具(20)滑动、或者下模具(20)可朝向该上模具(30)滑动,其中,该下模具(20)形成用于有待烧结的组件(BG)的支架,并且该上模具(30)包括容器,该容器接收用于朝向该下模具(20)施加压力的压力垫(32)并且包括侧向地围绕该压力垫(32)的限定壁(34),并且其中,该限定壁(34)具有外限定壁(34a)和内限定壁(34b),该内限定壁被该外限定壁(34a)以邻近方式包围,并且其中,该内限定壁(34b)被安装成可朝向该外限定壁(34a)滑动,并且当沿该上模具(30)的方向在该压力垫(32)上施加压力时,该内限定壁被安装成沿该下模具(20)的方向滑动,由此,在将该内限定壁(34b)放置在该下模具(20)上之后,该压力垫(32)可沿该下模具(20)的方向移位。
2.根据权利要求1所述的烧结装置(10),其特征在于,在该内限定壁(34a)沿该上模具(30)的方向移动的情况下,该压力垫(32)被适配成针对该内限定壁(34a)的反向支承件。
3.根据以上权利要求中任一项所述的烧结装置(10),其特征在于,该内限定壁(34b)在该下模具(20)的方向伸出超过该外限定壁(34a)。
4.根据以上权利要求中任一项所述的烧结装置(10),其特征在于,该内限定壁(34b)是由氧化材料、聚合物材料或金属材料形成的。
5.根据以上权利要求中任一项所述的烧结装置(10),其特征在于,该外限定壁和该内限定壁(34a,34b)被配置成环形。
6.根据以上权利要求中任一项所述的烧结装置(10),其特征在于,该压力垫(32)是硅胶垫或者橡胶垫。
7.根据以上权利要求中任一项所述的烧结装置(10),其特征在于,该下模具(20)包括用于接收该有待烧结的组件(BG)的凹陷(40)或者包括用于多个组件的工件载体。
8.根据以上权利要求中任一项所述的烧结装置(10),其特征在于,保护膜(50)被布置在该组件(BG)与该上模具(30)之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造