[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201580053001.5 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN106716605B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 林航之介;大田垣崇 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/677 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅;杨谦 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,具有:喷嘴头,与基板的被处理面对置,具备朝向上述被处理面开口的凹部;处理液供给喷嘴,被设置于上述喷嘴头,朝向上述被处理面供给处理液;以及气体喷出喷嘴,被设置于上述喷嘴头,朝向上述被处理面喷出气体,该基板处理装置对上述被处理面进行基于上述处理液的处理、以及使用了上述气体的干燥处理,其特征在于,该基板处理装置具备:
除去部,将存在于上述凹部的液滴除去;
排液部,设置在上述喷嘴头的上述凹部的底部,将作为除去对象的上述液滴向上述凹部之外排出;以及
控制部,控制上述气体喷出喷嘴的喷出状态,使得在从对上述被处理面的基于上述处理液的漂洗处理的结束起、到使用了上述气体的干燥处理开始为止的期间中,存在从上述气体喷出喷嘴喷出不到达上述基板的被处理面的程度的流量的气体的期间。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述除去部是从上述喷嘴头的表面突出地形成的、对上述被处理面喷出气体的第1喷嘴,
上述第1喷嘴具备能够在与上述气体的喷出方向正交的方向上且朝向上述凹部喷出上述气体的孔。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
具备:
罩,配置在上述喷嘴头与上述基板之间,并具有供为了对上述被处理面进行处理而从设置于上述喷嘴头的上述处理液供给喷嘴喷出的处理液通过的开口,
上述除去部是形成于上述喷嘴头并具备朝向上述罩的气体的喷出口的第2喷嘴、以及形成于上述罩的上述开口的回流件,
上述第2喷嘴朝向上述回流件喷出上述气体,以将喷出的上述气体导向上述凹部。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述除去部是配置在上述凹部的表面、为了将存在于上述凹部的液滴除去而朝向设于上述底部的上述排液部喷出除去材料的喷出口。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
上述喷出口在上述凹部表面以环状设置。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
上述喷出口被配置在上述凹部的上部,设置成与将其配置场所与上述排液部之间以最短距离进行连接的线正交、且能够沿着上述凹部表面喷出上述除去材料的朝向。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述除去部是使上述喷嘴头振动的振动部。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述除去部是对上述喷嘴头进行加热的加热部。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述除去部是与上述排液部连接来吸引存在于上述凹部的上述液滴的吸引部。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述除去部是以上述凹部的上部与在上述凹部的底部设置的上述排液部之间以最短距离进行连接的方式形成的槽。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述除去部是从上述凹部的上部朝向在上述凹部的底部设置的上述排液部以螺旋状形成的槽。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,
上述以螺旋状形成的槽的朝向形成为与对上述基板进行处理时的上述基板的旋转方向相同的朝向。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述除去部是通过使上述凹部的表面粗糙来避免作为除去对象的上述液滴滞留的上述喷嘴头。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述除去部是通过对上述凹部的表面涂覆多孔质材料而形成的上述喷嘴头。
15.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
上述除去部是通过由多孔质材料形成上述凹部而构成的上述喷嘴头。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芝浦机械电子株式会社,未经芝浦机械电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580053001.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种Wifi频偏的调节方法及终端
- 下一篇:前导符号的生成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造