[发明专利]压电振子以及压电振动装置有效
申请号: | 201580053202.5 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN106797207B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 河合良太;中村大佐;西村俊雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/24 | 分类号: | H03H9/24;H03H9/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 以及 振动 装置 | ||
1.一种压电振动装置,具备:
压电振子,该压电振子具备矩形的框部、和被所述矩形的框部包围并且与所述矩形的框部一体形成的振动部,其中,所述框部和所述振动部具有Si层,该Si层是作为简并半导体的n型的Si层,且具有0.5mΩcm以上0.9mΩcm以下的电阻率;
下侧基板,具有被周边部包围的凹部,由Si形成;以及
上侧基板,在与所述下侧基板之间形成振动空间,具有被周边部包围的凹部,并由Si形成。
2.根据权利要求1所述的压电振动装置,其中,
所述振动部具有被形成在所述Si层上的压电薄膜。
3.根据权利要求2所述的压电振动装置,其中,
所述振动部还具有氧化硅层,该氧化硅层被形成在所述Si层的上表面、下表面、以及所述压电薄膜的上表面的至少任意一处。
4.根据权利要求3所述的压电振动装置,其中,
所述振动部的简并Si层的厚度为5~20μm,所述氧化硅层的厚度为1μm以下。
5.根据权利要求2所述的压电振动装置,其中,
所述振动部的简并Si层的厚度小于10μm。
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