[发明专利]半导体装置

说明书

本公开所涉及的半导体装置具有：导电性的第1电极块、导电性的辅助基座、绝缘层、半导体元件、导电性的凸块和导电性的第2电极块。辅助基座被设置于第1电极块的上表面的第1区域，电连接于第1电极块。半导体元件被设置于辅助基座之上，具有电连接于辅助基座的第1电极。凸块被设置于与半导体元件的第1电极相反的一侧的第2电极的上表面，电连接于第2电极。此外，第2电极块的下表面在第3区域，经由具有导电性的金属层而电连接于凸块。此外，在金属层与凸块之间，设置具有导电性的金属片。

技术领域

本公开涉及半导体装置，特别地，涉及搭载有发热较大的半导体元件的半导体装置。

背景技术

近年来，在使用了功率半导体元件或半导体激光元件的半导体装置中，流过半导体元件的电流变大，伴随于此，来自半导体元件的发热量变多。例如，用于激光加工的高输出的半导体激光装置为了得到高输出的激光，流过被搭载的半导体激光元件的电流较大，伴随于此，半导体激光元件的发热量较多。若半导体激光元件变成高温，则产生激光输出降低这一性能劣化。为了半导体激光元件的性能的稳定化以及防止异常加热，半导体激光装置成为具有从半导体激光元件的两面释放热量的冷却功能的构造。

使用图18，对专利文献1中所述的现有的半导体激光装置900进行说明。图18是现有的半导体激光装置900的立体图以及侧视图。

如图18所示，现有的半导体激光装置900在散热片901的端部的上方设置辅助基座902、LD(Laser Diode，激光二极管)杆903。在散热片901的上方即未设置辅助基座902的区域，设置绝缘层904。在LD杆903的上方形成凸块905，在绝缘层904以及凸块905的上方设置引出电极906。进一步地，在LD杆903与引出电极906之间，填充材料907被填充到不存在凸块905的空间。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-86883号公报

发明内容

现有的半导体激光装置900在LD杆903与引出电极906之间，填充由Ag糊膏或者焊锡材料构成的填充材料907，使热传导性提高。但是，若由Ag糊膏或焊锡材料填充LD杆903与引出电极906之间，则由于LD杆903与引出电极906的热膨胀率的差异，可能在引出电极906与填充材料907的界面、填充材料907的内部产生龟裂。若产生这样的龟裂，则热传导性降低，并且LD杆903与引出电极906之间的电连接降低(即，电阻增加)，导致半导体激光装置的性能降低或故障。

为了解决上述问题，本公开所涉及的半导体装置具有：第1电极块、辅助基座、绝缘层、半导体元件、凸块和第2电极块。第1电极块具有导电性。辅助基座被设置于第1电极块的上表面的第1区域，电连接于第1电极块，具有导电性。绝缘层被设置于第1电极块的上表面且与第1区域不同的第2区域。半导体元件被设置于辅助基座之上，具有电连接于辅助基座的第1电极。凸块被设置于与半导体元件的第1电极相反的一侧的第2电极的上表面，电连接于第2电极，具有导电性。第2电极块被设置于凸块以及绝缘层之上，具有导电性。此外，第2电极块的下表面在第3区域，经由具有导电性的金属层而电连接于凸块。此外，第2电极块的下表面在第4区域，被搭载于绝缘层。此外，在金属层与凸块之间，设置具有导电性的金属片。

如以上那样，本公开通过在凸块与第2电极块之间设置金属层以及金属片，能够缓和因半导体元件与第2电极块的热膨胀率的差异而引起的应力，并且稳定地确保半导体元件与第2电极块的电连接。

附图说明

图1是表示实施方式1中的半导体激光装置1的示意结构的剖视图。

图2是表示实施方式1中的半导体激光装置1的制造方法的立体图。

图3是表示实施方式1中的半导体激光装置1的制造方法的立体图。