[发明专利]辅助特征的基于规则的部署

说明书

文中公开了几种方法，用在图案形成过程中，用于减小设计布局的一部分的Bossung曲线的倾斜、一个或多个图案位移误差、对比度损失、最佳聚焦偏移，所述图案形成过程用于使用光刻设备将所述部分成像到衬底上。所述方法包括：使用一个或多个规则，基于从以下各项构成的群组中选择的一个或多个参数，确定或调整一个或多个辅助特征的一个或多个特性：在所述部分中的一个或多个设计特征的一个或多个特性、所述图案形成过程的一个或多个特性、所述光刻设备的一个或多个特性、和/或选自前述各项的组合。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年10月2日递交的美国申请62/059,036和 2015年9月16日递交的美国申请62/219,442的优先权，此处通过引用全文并入。

技术领域

文中的描述涉及光刻设备和过程，更具体地，涉及用于优化在光刻设备或过程中使用的照射源或图案形成装置的方法或工具。

背景技术

光刻设备可以例如用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如掩模)可以包含或提供与所述IC(“设计布局”) 的单层相对应的电路图案，并且利用诸如通过图案形成装置上的电路图案照射目标部分等方法可以将该电路图案转移到衬底(例如，硅晶片) 上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)上，其中所述衬底已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层。通常，单个的衬底包含通过光刻设备连续地将电路图案转移至其上的多个相邻目标部分，一次处理一个目标部分。在一种类型的光刻设备中，整个图案形成装置上的电路图案一次转移到一个目标部分上，这种设备通常称为晶片步进机。在可替换的设备中(通常称为步进-扫描设备)，投影束沿着给定的参考方向(“扫描”方向)扫描通过图案形成装置，同时沿与该参考方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底。图案形成装置上的电路图案的不同部分逐步地被转移至一个目标部分。通常，由于光刻设备将具有放大因子M (通常<1)，因此衬底移动的速度F将是因子M乘以投影束扫描图案形成装置的速度。与文中所述的光刻装置相关的更多信息可以例如在 US6,046,792中获知，在此通过引用并入本文中。

在从图案形成装置将电路图案转移至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底漆、抗蚀剂涂覆和软烘焙等等。在曝光之后，衬底可能经历其他工序，诸如曝光后烘焙(PEB)、显影、硬烘焙和被转移的电路图案的测量/检查等等。这一系列工序被用作制造器件(例如IC)的单层的基础。之后，衬底可能经历各种处理/过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学-机械抛光等等，所有这些处理/过程旨在完成器件的单个层。如果在器件中需要几个层，则整个工序或者其变体对于每个层被重复。最终，器件将呈现在衬底上的每个目标部分中。之后，这些器件通过诸如划片或切割等技术被彼此分开，由此单个的器件可以安装在载体上、连接至引脚等等。

应该指出的是，微光刻术是IC制造中的核心步骤，在该步骤中形成在衬底上的图案限定IC的功能元件，诸如微处理器、存储芯片等等。类似的光刻技术也可以用于平板显示器、微机电系统(MEMS)和其他装置的形成过程中。

发明内容

文中公开的是计算机执行的用于改进图案形成过程的方法，其中所述图案形成过程用于使用光刻设备将设计布局的一部分成像到衬底上，所述方法包括：获得一个或多个规则，所述一个或多个规则被配置用于基于从以下各项构成的群组中选择的一个或多个参数来确定一个或多个辅助特征的一个或多个特性：在所述部分中的一个或多个设计特征的一个或多个特性、所述图案形成过程的一个或多个特性、所述光刻设备的一个或多个特性和/或选自前述各项的组合；使用所述一个或多个规则确定所述一个或多个辅助特征的所述一个或多个特性；其中所述一个或多个参数包括一对面对的边缘之间的间隔；其中所述一个或多个规则被配置用于基于该对边缘之间的间隔确定所述一个或多个辅助特征与该对边缘中的一个边缘之间的距离，使得所述一个或多个辅助特征相对于该对边缘是不对称的；将所述一个或多个辅助特征放置在图案形成装置上。