[发明专利]碳化硅外延基板在审
| 申请号： | 201580053722.6 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN106715767A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 西口太郎;和田圭司;玄番润;伊东洋典;土井秀之;平塚健二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/20;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 | ||
1.一种碳化硅外延基板，其包含：
碳化硅单晶基板、和
在所述碳化硅单晶基板上的外延层；
所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，
所述外延层具有10μm以上的厚度，
所述外延层具有1×1014cm-3以上且1×1016cm-3以下的载流子浓度，
所述外延层的面内的所述载流子浓度的标准偏差对所述面内的所述载流子浓度的平均值的比率为10％以下，
所述外延层具有主表面，
所述主表面在三维表面粗糙度测量中具有0.3nm以下的算术平均粗糙度Sa，
在所述主表面中，源于贯通螺旋位错的凹坑的面密度为1000个cm-2以下，
所述凹坑各自具有自所述主表面起算8nm以上的最大深度。
2.根据权利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，
所述面密度为100个cm-2以下。
3.根据权利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，
所述面密度为10个cm-2以下。
4.根据权利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，
所述面密度为1个cm-2以下。
5.根据权利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，
所述直径为150mm以上。
6.根据权利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，
所述直径为200mm以上。
7.根据权利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，
所述比率为5％以下。
8.根据权利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，
所述最大深度为20nm以上。
9.根据权利要求1所述的碳化硅外延基板，其中，
所述凹坑各自具有包含第一宽度和第二宽度的平面形状，所述第一宽度在第一方向上延伸，所述第二宽度在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，并且
所述第一宽度为所述第二宽度的两倍以上。
10.一种碳化硅外延基板，其包含：
碳化硅单晶基板、和
在所述碳化硅单晶基板上的外延层；
所述碳化硅单晶基板具有100mm以上的直径，
所述外延层具有10μm以上的厚度，
所述外延层具有1×1014cm-3以上且1×1016cm-3以下的载流子浓度，
所述外延层的面内的所述载流子浓度的标准偏差对所述面内的所述载流子浓度的平均值的比率为10％以下，
所述外延层具有主表面，
所述主表面在三维表面粗糙度测量中具有0.3nm以下的算术平均粗糙度Sa，
在所述主表面中，源于贯通螺旋位错的凹坑的面密度为1000个cm-2以下，
所述凹坑各自具有包含第一宽度和第二宽度的平面形状，所述第一宽度在第一方向上延伸，所述第二宽度在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，
所述第一宽度为所述第二宽度的两倍以上，
所述凹坑各自具有自所述主表面起算20nm以上的最大深度。
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