[发明专利]抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含：

聚合物，

具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物或该化合物的水合物，以及

溶剂，

所述化合物或该化合物的水合物相对于该聚合物100质量份为0.1质量份～30质量份,

所述化合物是下述式(1a)或式(1b)所示的化合物，

式中，A表示碳原子数为1～6的直链状烃基、脂环式烃基、芳香族烃基或芳香族杂环基，该直链状烃基可以具有至少1个杂原子，B表示氢原子或碳原子数为1～21的有机基团，该有机基团可以具有至少1个选自羰基、-OC(＝O)-基、-O-基、-S-基、磺酰基和-NH-基中的连接基团、和/或至少1个选自羟基、硫醇基、卤代基、氨基和硝基中的取代基，R₀表示氢原子或甲基，Z₁和Z₂分别独立地表示氢原子、羟基、卤代基、氨基或硝基，m表示0～2，n表示1～4的整数。

2.根据权利要求1所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物具有下述式(2′)所示的结构单元和式(3′)所示的结构单元，

式中，Q₃表示可具有卤代基作为取代基的碳原子数为1～13的烃基、或可具有碳原子数1～6的烷基作为取代基的芳香族环，2个v分别独立地表示0或1，

式中，Q₄表示可具有羟基或卤代基作为取代基的碳原子数为1～13的烃基、或可具有碳原子数1～6的烷基或羟基作为取代基的芳香族环，2个w分别独立地表示0或1。

3.根据权利要求1所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(4)所示的结构，

式中，R₁、R₂和R₃分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～13的直链状或支链状的烷基、卤代基或羟基，所述R₁、R₂和R₃中的至少1个表示所述烷基，Ar表示苯环、萘环或蒽环，2个羰基分别与所述Ar所表示的环的相邻的2个碳原子结合，X表示可具有碳原子数为1～3的烷氧基作为取代基的碳原子数为1～6的直链状或支链状的烷基。

4.根据权利要求1所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其还包含相对于所述聚合物100质量份为1质量份～100质量份的交联剂、和相对于该交联剂100质量份为0.1质量份～25质量份的交联催化剂。