[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

公开一种基板处理装置及基板处理方法。所公开的基板处理装置包括：放射率设定部被输入自与基板相接触的化学液或从基板与化学液相接触的交界面处放射的放射率；辐射能量输入部，被输入自化学液或交界面处放射的辐射能量；以及计算部，根据放射率与辐射能量而计算化学液或交界面的计算温度。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，尤其涉及一种直接测量化学液或化学液与基板相接触的交界面的计算温度，从而能够使基于化学液的基板处理温度最佳化的基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

通常，湿式工序是指使化学液(liquid chemical)与诸如硅晶圆等基板接触而对基板的表面执行蚀刻或清洁等处理的工序。

具体地，湿式工序可包括蚀刻工序，使化学液与基板接触而在基板上形成薄膜(thin film)或膜层(layer)。此外，湿式工序可包括清洁工序，清洁化学液与基板接触而形成于基板上的薄膜或膜层或者清除形成于基板上的污染物(contamination)等。

另外，随着在半导体领域中半导体组件的集成度的提升，形成于基板上的图案已经微缩至几十纳米的程度，由此，蚀刻工序与清洁工序的重要性不断提高。

因此，实际情况是，基于高产性而维持了几十年的批次型(batch type)湿式工序中的一部分正在被单一晶圆型湿式工序所取代。然而，由于现有湿式工序很难准确地测量化学液和基板的温度，以及很难维持化学液和基板的温度为设定温度，因此存在有难以确保基板处理的均匀性的问题。所以，需要改善上述问题。

本发明的背景技术公开于韩国登录专利公报第10-1037179号(于2011年5月19日注册，发明名称：基板处理装置中的温度控制器的误动作查找装置及方法)。

发明内容

要解决的技术问题

本发明为了解决上述问题而提出，其目的在于提供一种直接测量在使用化学液而处理基板的表面的单一晶圆型湿式蚀刻或清洁等基板处理工序中与基板相接触的化学液的计算温度或化学液与基板相接触的交界面的计算温度，从而能够使基于化学液的基板处理温度最佳化的基板处理装置及基板处理方法。

技术问题的解决手段

根据本发明的基板处理装置，其特征在于，包括：放射率设定部，被输入自与基板相接触的化学液或从所述基板与所述化学液相接触的交界面处放射的放射率；辐射能量输入部，被输入自化学液或交界面处放射的辐射能量；以及计算部，根据所述放射率与所述辐射能量而计算所述化学液或所述交界面的计算温度。

根据本发明的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括腔室，所述腔室包括：工作台，以能够旋转的方式设置；托架，在所述工作台上分开支承所述基板；以及喷嘴，向所述基板供应所述化学液。

根据本发明，其特征在于，所述喷嘴分离设置于所述基板的下侧。

根据本发明，其特征在于，所述计算部使用根据下式3计算的绝对温度而计算所述计算温度，

[式3]

其中，

C1＝2πhc²＝3.74×10^-16W/m²，

E(λ,T)是输入至所述辐射能量输入部的辐射能量，λ是根据所述辐射能量输入部而预先设定的红外线波长，ε是所述化学液或所述交界面的放射率，T是绝对温度，h是普郎克常数(plank constant)，c是光速，k是波兹曼常数(Boltzmann constant)。