[发明专利]分子半导体和聚合物半导体及相关器件

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管，包括衬底、薄膜半导体、介电层、栅电极、源电极和漏电极，其中所述薄膜半导体含有一种半导体聚合物，其由一种或多种重复单元组成，所述半导体聚合物的各重复单元为第一重复单元M₁或第二重复单元M₂，条件是所述半导体聚合物的至少一种重复单元为第一重复单元M₁，其中

各第一重复单元M₁具有独立地选自由以下组成的组的结构：

和

各第二重复单元M₂，如果存在，独立地选自由以下组成的组：

其中：

R¹在每次出现时，独立地选自由H、卤素、–CN、NO₂、R²、–L–R³、OH、OR²、OR³、NH₂、NHR²、N(R²)₂、NR²R³、N(R³)₂、SH、SR²、SR³、S(O)₂OH、–S(O)₂OR²、–S(O)₂OR³、C(O)H、C(O)R²、C(O)R³、C(O)OH、C(O)OR²、C(O)OR³、C(O)NH₂、C(O)NHR²、C(O)N(R²)₂、C(O)NR²R³、C(O)N(R³)₂、SiH₃、SiH(R²)₂、SiH₂(R²)和Si(R²)₃组成的组，其中L选自二价C_1-40烷基基团、二价C_2-40烯基基团、二价C_1-40卤代烷基基团和共价键；R²选自C_1-40烷基基团、C_2-40烯基基团、C_2-40炔基基团和C_1-40卤代烷基基团；R³选自C_3-10环烷基基团、C_6-14芳基基团、C_6-14卤代芳基基团、3-12元环杂烷基基团和5-14元杂芳基基团，其中每一个任选地由1-5个选自由卤素、–CN、NO₂、R²、OR²和SR²组成的组的基团取代；

Ar在每次出现时，独立地是5-或6-元芳基或杂芳基基团，每一个任选地由1-4个R⁵基团取代，所述R⁵独立地选自卤素、CN、C_1-40烷基基团、C_1-40卤代烷基基团、C_1-40烷氧基基团和C_1-40烷硫基基团；

Z是共轭非环连接体；

每个pi-2选自由以下组成的组：

其中：

R^a选自由H、F、Cl、–CN、R、–OR、–SR、–C(O)R、–OC(O)R和–C(O)OR组成的组；

R^b选自由H、R和–L–R^f组成的组；

R^c是H或R；

R^d选自由H、F、Cl、–CN、R、–OR、–SR、–C(O)R、–OC(O)R、–C(O)OR和–L–R^f组成的组；

R^e选自由H、F、Cl、–CN、R、–OR、–SR、–C(O)R、–OC(O)R、–C(O)OR和R^f组成的组；

R^f是C_6-20芳基基团或5-20元杂芳基基团，每个任选地由1-8个独立地选自由F、Cl、–CN、R、–OR和–SR组成的组的基团取代；

L选自由–O–、–S–、–C(O)–、–OC(O)–、–C(O)O–和共价键组成的组；并且

R选自由C_1-40烷基基团、C_1-40卤代烷基基团、C_2-40烯基基团和C_2-40炔基基团组成的组；

m和m'独立地是0、1、2、3、4、5或6，条件是m和m'中的至少一个不是0；

m”是1、2、3、4、5或6；并且

p和p'独立地是0和1，条件是p和p'中的至少一个是1。