[发明专利]核酸输送控制装置及其制造方法、以及核酸测序装置在审

专利信息
申请号: 201580054721.3 申请日: 2015-10-14
公开(公告)号: CN106795468A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 吉田博史;赤堀玲奈;芳贺孝信 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: C12M1/00 分类号: C12M1/00;B82Y5/00;B82Y40/00;G01N27/00
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 金鲜英,宋海花
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 核酸 输送 控制 装置 及其 制造 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种核酸输送控制装置,其为具有核酸链的通过路径的核酸输送控制装置,其特征在于,

所述核酸链的通过路径具有1个以上的纳米通道,所述纳米通道相对于仅能够通过一分子核酸链的1个纳米孔有多条路径,

所述纳米通道具有由疏水性高分子链和亲水性高分子链形成的嵌段共聚物的微观相分离结构,且

所述纳米通道含有所述嵌段共聚物的亲水性高分子链作为主要成分。

2.根据权利要求1所述的核酸输送控制装置,所述核酸链的通过路径具有1个纳米通道,所述纳米通道相对于仅能够通过一分子核酸链的1个纳米孔有多条路径。

3.根据权利要求1或2所述的核酸输送控制装置,所述纳米孔和纳米通道以相互接触或分开的方式配置。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的核酸输送控制装置,其进一步具有绝缘性基底材料和含有所述嵌段共聚物的薄膜,所述薄膜直接或间接地配置于所述绝缘性基底材料的上方,

所述绝缘性基底材料具有所述纳米孔,所述薄膜具有所述纳米通道和配置于其周围的基质。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的核酸输送控制装置,所述纳米通道具有分支结构。

6.根据权利要求1~4中任一项所述的核酸输送控制装置,所述纳米通道和基质具有共连续结构。

7.根据权利要求3或4所述的核酸输送控制装置,所述纳米孔和纳米通道以相互分开的方式配置,且纳米通道具有圆柱状结构。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的核酸输送控制装置,所述亲水性高分子链包含聚环氧乙烷、聚乳酸、聚羟基烷基甲基丙烯酸酯、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸、聚氨基酸或核酸。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的核酸输送控制装置,所述疏水性高分子链具有液晶性侧链。

10.根据权利要求9所述的核酸输送控制装置,所述疏水性高分子链具有聚甲基丙烯酸烷基酯中的烷基部分的一部分或全部被液晶性链取代的结构。

11.一种核酸输送控制装置,其为具有核酸链的通过路径的核酸输送控制装置,其特征在于,

所述核酸链的通过路径具有1个以上的纳米通道,所述纳米通道相对于仅能够通过一分子核酸链的1个纳米孔有多条路径,

所述核酸输送控制装置具有绝缘性基底材料和薄膜,所述绝缘性基底材料具有1个以上的所述纳米孔,所述薄膜直接或间接地配置于所述绝缘性基底材料的上方,

所述薄膜具有1个以上的纳米通道和配置于其周围的基质,且

所述纳米通道中填充有固定于所述纳米通道与所述基质的界面的亲水性高分子链。

12.一种核酸输送控制装置的制造方法,其为具有核酸链的通过路径的核酸输送控制装置的制造方法,其特征在于,

所述核酸链的通过路径具有1个以上的纳米通道,所述纳米通道相对于仅能够通过一分子核酸链的1个纳米孔有多条路径,

所述方法包括以下的工序:

在绝缘性基底材料中形成所述纳米孔的工序;

在所述绝缘性基底材料的上方制造由疏水性高分子链和亲水性高分子链形成的嵌段共聚物的薄膜的工序;

使所述嵌段共聚物自组织化,形成具有嵌段共聚物的微观相分离结构且含有所述亲水性高分子链作为主要成分的纳米通道的工序。

13.根据权利要求12所述的方法,在形成所述纳米通道的工序之后,实施形成所述纳米孔的工序。

14.一种核酸测序装置,其具有权利要求1~11中任一项所述的核酸输送控制装置、两个溶液小室和电极,所述两个溶液小室介由所述核酸输送控制装置的核酸链的通过路径连通,所述电极分别设于所述两个溶液小室,用于在所述两个溶液小室之间施加电压。

15.根据权利要求14所述的核酸测序装置,其具有并列配置有多个所述核酸链的通过路径的所述核酸输送控制装置。

16.根据权利要求14或15所述的核酸测序装置,其进一步具有测量流经所述电极间的电流量的时间变化的装置。

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