[发明专利]基于入射光子到达时间的识别、成像、测序法及存储介质有效
申请号: | 201580054728.5 | 申请日: | 2015-08-07 |
公开(公告)号: | CN107112333B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 乔纳森·M·罗思伯格;基思·G·法夫;大卫·布瓦韦尔 | 申请(专利权)人: | 宽腾矽公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;C12Q1/6869;G01N21/64;G01S7/4863 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 石海霞;金鹏 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 入射 光子 到达 时间 识别 成像 测序法 存储 介质 | ||
1.一种计算机可读存储介质,其具有存储在其上的指令,当由处理器执行时所述指令执行对核酸进行测序的方法,所述方法包括:
至少部分地使用由集成电路检测的入射光子的到达时间来对核酸进行测序,所述集成电路从连接到所述核酸的各自的核苷酸上的发光分子接收所述光子;以及
基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓,
其中,所述基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓包括:
形成至少一个电势来捕获电荷载流子,以及
将捕获的电荷载流子转移到所述集成电路的仓;
并且其中,所述基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓受定时电路的控制。
2.一种对核酸进行测序的方法,其包括:
使用集成电路检测源于连接到所述核酸的各自的核苷酸上的发光分子的入射光子的到达时间;以及
基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓,
其中,所述基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓包括:
形成至少一个电势来捕获电荷载流子,以及
将捕获的电荷载流子转移到所述集成电路的仓;
并且其中,所述基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓受定时电路的控制。
3.根据权利要求2所述的方法,其还包括读出指示在所述仓中聚集的电荷载流子的数量的信号。
4.根据权利要求3所述的方法,其还包括处理所述信号以识别所述核苷酸。
5.一种识别发光分子的方法,其包括:
至少部分地使用检测源于发光分子的入射光子的到达时间的集成电路来识别所述发光分子;以及
基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓,
其中,所述基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓包括:
形成至少一个电势来捕获电荷载流子,以及
将捕获的电荷载流子转移到所述集成电路的仓;
并且其中,所述基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓受定时电路的控制。
6.根据权利要求5所述的方法,其还包括读出指示在所述仓中聚集的电荷载流子的数量的信号。
7.根据权利要求6所述的方法,其还包括处理所述信号以区分所述发光分子的亮度寿命。
8.一种荧光寿命成像的方法,其包括:
至少部分地使用检测源于荧光分子的入射光子的到达时间的集成电路来产生指示荧光寿命的图像;以及
基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓,
其中,所述基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓包括:
形成至少一个电势来捕获电荷载流子,以及
将捕获的电荷载流子转移到所述集成电路的仓;
并且其中,所述基于所述入射光子的所述到达时间将由所述入射光子产生的电荷载流子分离到所述集成电路的仓受定时电路的控制。
9.根据权利要求8所述的方法,其还包括读出指示在所述仓中聚集的电荷载流子的数量的信号。
10.根据权利要求9所述的方法,其还包括处理所述信号以区分所述荧光分子的荧光寿命。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的