[发明专利]抑制了包含钨的材料的损伤的半导体元件的清洗液、及使用其的半导体元件的清洗方法

权利要求书

1.一种去除半导体元件表面上的光致抗蚀剂的清洗液，所述半导体元件具有低介电常数膜(Low-k膜)和包含10原子％以上的钨的材料，

所述清洗液由以下物质组成：碱土金属化合物0.001～5质量％、无机碱和/或有机碱0.1～30质量％、水，以及任选的选自以下的至少一种：过氧化物以外的氧化剂、金属防腐剂、水溶性有机溶剂、氟化合物、还原剂和螯合剂，

其中，所述碱土金属化合物为选自由硝酸钡、氢氧化钡、氯化钡、乙酸钡、氧化钡、溴化钡、碳酸钡、氟化钡、碘化钡、硫酸钡、磷酸钡、硝酸钙、氯化钙、乙酸钙、氢氧化钙、溴化钙、碳酸钙、氟化钙、碘化钙、硫酸钙、磷酸钙、碳酸锶、氯化锶、乙酸锶、氢氧化锶、溴化锶、氟化锶、碘化锶、硫酸锶和磷酸锶组成的组中的至少1种。

2.根据权利要求1所述的清洗液，其pH值为10～14。

3.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述包含10原子％以上的钨的材料为选自由氧化钨、氮化钨、钨和硅化钨组成的组中的至少1种。

4.根据权利要求1或2所述的清洗液，其中，所述无机碱为选自由氢氧化锂、碳酸锂、碳酸氢锂、乙酸锂、氢氧化钠、碳酸钠、碳酸氢钠、乙酸钠、氢氧化钾、碳酸钾、碳酸氢钾、乙酸钾、氢氧化铯、碳酸铯、碳酸氢铯、乙酸铯和氨组成的组中的1种以上，

所述有机碱为选自由四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、胆碱、甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、丙胺、二丙胺、丁胺、二丁胺、戊胺、己胺、庚胺、辛胺、乙醇胺、2-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺和1-氨基-2-丙醇组成的组中的1种以上。

5.根据权利要求1或2所述的清洗液，其实质上不包含高氯酸和高氯酸盐。

6.一种去除半导体元件表面上的光致抗蚀剂的清洗方法，其特征在于，所述半导体元件具有低介电常数膜(Low-k膜)和包含10原子％以上的钨的材料，

所述清洗方法使用权利要求1至5中任一项所述的清洗液。