[发明专利]有机光电二极管、有机x射线检测器和x射线系统

权利要求书

1.一种有机光电二极管，所述有机光电二极管包括：

第一电极；

设置在所述第一电极上的有机吸收剂层；

设置在所述有机吸收剂层上的第二电极；和

第一电荷阻挡层，所述第一电荷阻挡层包括设置在所述有机吸收剂层和所述第一电极或所述第二电极之一之间的金属氟化物，其中所述金属氟化物包含锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铁、钇、镱或其组合，其中所述电荷阻挡层基本上不含导电材料，并且其中所述电荷阻挡层的厚度大于约50纳米。

2.根据权利要求1所述的有机光电二极管，其特征在于，所述第一电荷阻挡层基本上由所述金属氟化物组成。

3.根据权利要求1所述的有机光电二极管，其特征在于，所述金属氟化物包含氟化锂、氟化镁、氟化钙、氟化钡、氟化钠、氟化钾或其组合。

4.根据权利要求1所述的有机光电二极管，其特征在于，所述第一电荷阻挡层具有在约50纳米至约200纳米的范围内的厚度。

5.根据权利要求1所述的有机光电二极管，其特征在于，所述第一电荷阻挡层设置在所述有机吸收剂层和所述第二电极之间，并且所述有机光电二极管还包括设置在所述有机吸收剂层和所述第一电极之间的第二电荷阻挡层。

6.根据权利要求5所述的有机光电 二极管，其特征在于，所述第二电荷阻挡层包含有机材料。

7.根据权利要求5所述的有机光电二极管，其特征在于，所述第二电极包含溅射的基本上透明的氧化物。

8.一种形成有机光电二极管的方法，所述方法包括：

在第一电极上设置有机吸收剂层；

在所述有机吸收剂层上设置第二电极；和

设置第一电荷阻挡层，所述第一电荷阻挡层包括在所述有机吸收剂层和所述第一电极或所述第二电极之一之间的金属氟化物，其中所述金属氟化物包含锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铁、钇、镱或其组合，其中所述电荷阻挡层基本上不含导电材料，并且其中所述电荷阻挡层的厚度大于约50纳米。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述电荷阻挡层基本上由所述金属氟化物组成。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属氟化物包含氟化锂、氟化镁、氟化钙、氟化钡、氟化钠、氟化钾或其组合。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一电荷阻挡层具有在约50纳米至约200纳米的范围内的厚度。

12.根据权利要求8所述的方法，所述方法包括在所述有机吸收剂层上设置所述第一电荷阻挡层；以及通过溅射在所述第一电荷阻挡层上设置所述第二电极。

13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括在所述第一电极上设置第二电荷阻挡层，并且在所述第二电荷阻挡层上设置所述有机吸收剂层。

14.一种有机x射线检测器，所述有机x射线检测器包括：

设置在基底上的薄膜晶体管(TFT)阵列；

设置在所述TFT阵列上的有机光电二极管，其中所述有机光电二极管包括：

第一电极；

设置在所述第一电极上的有机吸收剂层；

设置在所述有机吸收剂层上的第二电极；和

第一电荷阻挡层，所述第一电荷阻挡层包括设置在所述有机吸收剂层和所述第一电极或所述第二电极之一之间的金属氟化物，其中所述金属氟化物包含锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铁、钇、镱或其组合，其中所述电荷阻挡层基本上不含导电材料，并且其中所述电荷阻挡层的厚度大于约50纳米；和

设置在所述有机光电二极管上的闪烁体层。