[发明专利]放大器电路和放大器布置有效
申请号: | 201580055864.6 | 申请日: | 2015-08-20 |
公开(公告)号: | CN107078700B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 荷塞·曼努埃尔·加西亚·冈萨雷斯;安德里亚斯·菲茨伊 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
主分类号: | H03F1/14 | 分类号: | H03F1/14;H03F3/45 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;任庆威 |
地址: | 奥地利温特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 电路 布置 | ||
1.一种具有在输出级(OS)的差分电流路径中布置的差分输入端(inn、inp)和差分输出端(outn、outp)的放大器电路,所述放大器电路包括:
-第一对匹配晶体管(M1、M2),其具有第一阈值电压并包括被连接到差分输入端(inn、inp)的控制端子;
-第二对匹配晶体管(M3、M4),其具有第一阈值电压且包括被连接到差分输入端(inn、inp)的控制端子,所述第二对是将所述第一对匹配晶体管(M1、M2)交叉耦合的电压源的一部分;
-晶体管的第一对三元组(LG1、LG2),其具有不同于第一阈值电压的第二阈值电压,每个三元组(LG1、LG2)的晶体管被共同地连接到第一对匹配晶体管(M1、M2)的各专用晶体管,使得各电流路径用专用晶体管来形成;
-具有第二阈值电压的晶体管的第二对三元组(LG3、LG4),每个三元组(LG3、LG4)的晶体管被共同地连接到第二对匹配晶体管(M3、M4)的各专用晶体管,使得各电流路径用专用晶体管来形成;
其中,
-三元组中的每一个的第一晶体管(M1_1、M2_1、M3_1、M4_1)具有连接到在电流路径中连接的各专用晶体管(M1、M2、M3、M4)的控制端子的控制端子,并以公共匹配比(N)与同一三元组的第二和第三晶体管匹配;
-每对三元组的第二和第三晶体管的控制端子被共同地连接到该对三元组的相应另一三元组的第一晶体管的控制端子;
-第一对三元组(LG1、LG2)的第一晶体管(M1_1、M2_1)被连接到输出级(OS)的差分电流路径、第二对三元组(LG3、LG4)的第二晶体管(M3_2、M4_2)以及第一对三元组(LG1、LG2)中的相应另一三元组的各第二晶体管(M2_2、M1_2);
-第二对三元组(LG3、LG4)的第一晶体管(M3_1、M4_1)被连接到作为电压源的一部分的第一对偏置晶体管(MBP1、MBP2)、第一对三元组(LG1、LG2)的第三晶体管(M1_3、M2_3)、第二对三元组(LG3、LG4)的相应另一三元组的第三晶体管和作为电压源的一部分的第二对偏置晶体管(MBN1、MBN2)的控制端子;以及
-通过第二对偏置晶体管(MBN1、MBN2)的电流被镜像到在输出级(OS)的差分电流路径中布置的一对匹配输出晶体管(MBN3、MBN4)。
2.根据权利要求1所述的放大器电路,
其中,第二对偏置晶体管(MBN1、MBN2)中的每一个与第一对匹配晶体管(M1、M2)的一个晶体管和第二对匹配晶体管(M3、M4)的一个晶体管形成各电流路径,其控制端子被连接到差分输入端(inn、inp)的不同端子。
3.根据权利要求1或2所述的放大器电路,
其中,所述第一对偏置晶体管(MBP1、MBP2)被公共偏压(VBIAS)控制。
4.根据权利要求1或2所述的放大器电路,
其中,第二对偏置晶体管(MBN1、MBN2)的晶体管和成对匹配输出晶体管(MBN3、MBN4)的晶体管被设计成使得在其之间实现公共镜像比(M)。
5.根据权利要求1或2所述的放大器电路,
其中,所述输出级(OS)被实现为共源共栅放大器,并且第二对偏置晶体管(MBN1、MBN2)的控制端子被分别地连接到成对匹配输出晶体管(MBN3、MBN4)的控制端子。
6.根据权利要求5所述的放大器电路,
其中,所述共源共栅放大器包括至少一对共源共栅放大器晶体管(MCP1、MCP2;MCN1、MCN2)。
7.根据权利要求6所述的放大器电路,
其中,所述至少一对共源共栅放大器晶体管(MCP1、MCP2;MCN1、MCN2)被增益提升级控制。
8.根据权利要求1或2所述的放大器电路,
其中,电压源被实现为翻转电压跟随器单元。
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