[发明专利]晶体管及形成晶体管的方法

权利要求书

1.一种晶体管，其包括：

源极区域及漏极区域；所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域，且另一者为电子储集器区域；

导电栅极，其位于所述源极区域与所述漏极区域之间；

第一沟道材料，其位于所述栅极与所述源极区域之间；所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开；

第二沟道材料，其位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间，且直接接触所述源极区域；且

其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极区域及所述漏极区域分别为所述空穴储集器区域及所述电子储集器区域。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极区域及所述漏极区域分别为所述电子储集器区域及所述空穴储集器区域。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包括位于所述第一沟道材料与所述第二沟道材料之间的隧道电介质材料。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其中所述隧道电介质材料具有小于或等于10个单层的厚度。

6.根据权利要求4所述的晶体管，其中所述隧道电介质材料具有大于10个单层的厚度。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一沟道材料直接接触所述漏极区域。

8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一沟道材料不直接接触所述漏极区域。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其中半导体材料在所述第一沟道材料与所述漏极区域之间延伸；且直接接触所述第一沟道材料及所述漏极区域两者。

10.根据权利要求9所述的晶体管，其中所述半导体材料包括硅。

11.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料具有在从1个单层到约7个单层的范围内的厚度。

12.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属二硫族化物及/或过渡金属三硫族化物。

13.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为相对于彼此不同的组成物。

14.根据权利要求13所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料中的一者包括硫化物，且另一者包括硒化物。

15.根据权利要求13所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料中的一者包括硫化钼，且另一者包括硒化钨。

16.一种晶体管，其包括：

电子储集器漏极区域；

导电栅极，其位于所述漏极区域之上；

底部绝缘材料，其位于所述栅极与所述漏极区域之间；顶部绝缘材料，其位于所述栅极之上；及侧壁绝缘材料，其沿着所述栅极的侧壁且从所述栅极的顶部延伸到所述栅极的底部；

第一沟道材料，其沿着所述侧壁绝缘材料延伸越过所述顶部绝缘材料，且直接接触所述漏极区域；位于所述栅极上方的所述第一沟道材料的区域是所述第一沟道材料的顶部区域；

隧道电介质材料，其位于所述第一沟道材料的所述顶部区域之上；

第二沟道材料，其位于所述隧道电介质材料之上；

空穴储集器源极区域，其直接靠着所述第二沟道材料；且

其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。

17.根据权利要求16所述的晶体管，其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属二硫族化物及/或过渡金属三硫族化物。