[发明专利]评估等离子体处理装备中内表面调节的系统与方法

权利要求书

1.一种等离子体源，包含：

第一穿孔电极，包含第一平坦表面，所述第一穿孔电极配置成用于移送一种或更多种等离子体源气体通过所述第一穿孔电极中的第一穿孔；

第二穿孔电极，包含第二平坦表面，所述第二穿孔电极配置成用于使等离子体产物移动通过所述第二穿孔电极而前往工艺腔室，所述第二穿孔电极保持电接地；

绝缘体，具有上表面和下表面，所述上表面和所述下表面绕所述第一穿孔电极的外周和所述第二穿孔电极的外周并与所述第一平坦表面和所述第二平坦表面接触，使得所述第一穿孔电极、所述第二穿孔电极和所述绝缘体界定等离子体生成腔；以及

电源，所述电源跨所述第一穿孔电极和所述第二穿孔电极提供电功率以在所述等离子体生成腔中利用所述一种或更多种等离子体源气体点燃等离子体，从而产生所述等离子体产物；

其中所述绝缘体包括端口，所述端口提供来自所述等离子体的光学信号，所述光学信号用于监测所述等离子体源，所述端口包括：

形成于所述绝缘体内的径向孔；

光学窗，所述光学窗跨所述径向孔的外开口能密封至所述绝缘体；以及

夹具，所述夹具将光纤定位成邻近所述光学窗，使得光学发射传播到所述光纤中以形成所述光学信号，所述光纤定向成所述光学信号限于在所述等离子体生成腔内所产生的光学发射。

2.如权利要求1所述的等离子体源，其中在所述等离子体产物移动通过所述第二穿孔电极而前往所述工艺腔室之后，所述光学信号不受所述等离子体产物的相互作用的影响。

3.如权利要求1所述的等离子体源，其中所述绝缘体是陶瓷环。

4.如权利要求1所述的等离子体源，其中所述光学窗包含蓝宝石或石英。

5.如权利要求1所述的等离子体源，进一步包含光学发射光谱仪，所述光学发射光谱仪接收所述光学信号并从所述光学信号中生成发射峰数据。

6.如权利要求5所述的等离子体源，进一步包含计算机，所述计算机配置成用于生成所述发射峰数据的记录。

7.如权利要求6所述的等离子体源，所述发射峰数据包括氢发射峰数据，所述计算机配置成用于计算所述氢发射峰数据在所述等离子体源的连续工艺序列期间的稳定性度量。

8.如权利要求1所述的等离子体源，其中所述第一穿孔电极和所述第二穿孔电极中的至少一者包含氧化钇。

9.如权利要求1所述的等离子体源，所述一种或更多种等离子体源气体包含氟源。

10.如权利要求9所述的等离子体源，所述氟源包含NF₃。