[发明专利]氮化物半导体器件在审
| 申请号： | 201580056003.X | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN107078064A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 谷本佳美;藤田耕一郎;井上雄史;木下多贺雄 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/318;H01L29/06;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 | ||
1.一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：
衬底(1)；
氮化物半导体层叠结构(5)，其形成在所述衬底(1)上，并且包括第一氮化物半导体层(3)和组成与所述第一氮化物半导体层(3)不同的第二氮化物半导体层(4)，在所述第一氮化物半导体层(3)与所述第二氮化物半导体层(4)的异质界面产生二维电子气；和
绝缘膜(9)，其覆盖所述氮化物半导体层叠结构(5)的表面中的至少一部分，且由Si-H键量为6.0×1021cm-3以下的氮化硅构成。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于：
构成所述绝缘膜(9)的所述氮化硅中的N-H键量为1.0×1021cm-3以上。
3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体器件，其特征在于：
设所述绝缘膜(9)为第一绝缘膜(9)，
所述氮化物半导体器件包括层叠在所述第一绝缘膜(9)上并且由Si-H键量比所述第一绝缘膜(9)多的氮化硅构成的第二绝缘膜(15)。
4.如权利要求3所述的氮化物半导体器件，其特征在于：
所述第一绝缘膜(9)和所述第二绝缘膜(15)的膜厚的合计值为25nm以上。
5.如权利要求3或4所述的氮化物半导体器件，其特征在于：
包括第三绝缘膜(21)，其覆盖所述第二绝缘膜(15)上的至少一部分，由Si-H键量比所述第二绝缘膜(15)少的氮化硅构成。
6.一种制造权利要求1～5中任一项所述的氮化物半导体器件的氮化物半导体器件的制造方法，其特征在于：
在800℃以上对所述绝缘膜(9)进行退火。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580056003.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体元件和晶体层叠结构体
- 下一篇：一种英语教学用播放设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
