[发明专利]具有离子改性的离子迁移谱仪

权利要求书

1.一种离子迁移谱仪，包括：

样本入口，包括被布置成允许气态流体样本从环境压力区域流至所述离子迁移谱仪的低压区域以被离子化的孔；

控制器，被布置成控制所述低压区域中的气压低于环境压力；以及

离子改性器，被配置成对所述低压区域中的离子进行改性，其中所述离子从气体样本获得，并且其中低压区域包括漂移区域和漂移气体流供应器，该漂移气体流供应器被布置成沿着所述漂移区域向着所述样本入口提供漂移气体流，其中所述离子改性器包括设置在所述漂移区域中的电极。

2.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪，其中所述控制器被布置成控制所述低压区域中的气压低于环境压力至少200毫巴。

3.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪，其中所述控制器被布置成控制所述低压区域中的气压低于环境压力不超过800毫巴。

4.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪，其中所述控制器被配置成按照第一模式来控制所述离子改性器以使离子经受交变电场，以便在所述离子通过所述离子改性器时对所述离子进行改性，以及被配置成按照第二模式控制所述离子改性器以允许离子通过所述离子改性器。

5.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪，其中所述样本入口孔是可控制的，以限制气体流通过所述样本入口。

6.一种离子迁移谱仪，包括：

样本入口，包括被布置成允许样本从环境压力区域通过所述离子迁移谱仪的低压区域以被离子化的膜入口；

控制器，被布置成控制所述低压区域中的气压低于环境压力至少200毫巴；以及

离子改性器，被配置成对所述低压区域中的离子进行改性，其中所述离子从气体样本获得，并且其中低压区域包括漂移区域和漂移气体流供应器，该漂移气体流供应器被布置成沿着所述漂移区域向着所述样本入口提供漂移气体流，其中所述离子改性器包括设置在所述漂移区域中的电极。

7.根据权利要求1至6中的任一者所述的离子迁移谱仪，其中所述控制器被布置成控制所述低压区域中的气压低于环境压力至少300mb。

8.根据权利要求1至6中任意一项所述的离子迁移谱仪，其中所述漂移区域被布置成逆向于向着检测器的漂移气体流而移动离子，以及所述离子改性器被布置成使所述离子经受与所述离子向着所述检测器移动的方向对齐的射频RF电场。

9.根据权利要求8所述的离子迁移谱仪，其中所述离子改性器包括在所述离子向着所述检测器移动的方向中间隔开的两个电极。

10.根据权利要求9所述的离子迁移谱仪，其中所述电极的每一者包括导体网格。

11.根据权利要求1至6中任意一项所述的离子迁移谱仪，其中所述控制器被布置成控制以下至少一者以控制所述低压区域中的所述气压：

所述漂移气体流；以及

通过所述样本入口的气态流体的流。

12.根据权利要求1至6中的任一者所述的离子迁移谱仪，该离子迁移谱仪包括真空供应器，被配置成降低所述低压区域中的气压。

13.根据权利要求12所述的离子迁移谱仪，其中所述控制器被配置成控制所述样本入口孔和所述真空供应器中的至少一者以控制所述低压区域中的所述气压。

14.根据权利要求1至6中任一者所述的离子迁移谱仪，其中所述控制器被配置成基于离子门的操作的定时来控制所述离子改性器的操作的定时。

15.根据权利要求1至5中任一者所述的离子迁移谱仪，其中所述样本入口孔包括针孔入口和毛细入口中的一者。

16.根据权利要求1至6中任一者所述的离子迁移谱仪，其中所述控制器被配置成降低所述低压区域中的所述气压使其小于900毫巴。