[发明专利]碳纳米管复合膜及该复合膜的制造方法

权利要求书

1.一种设备，其特征在于，

具备含有碳纳米管复合膜的元件，

所述元件是从由含有所述碳纳米管复合膜作为电极的电子器件、含有所述碳纳米管复合膜作为半导体型的CNT的薄膜场效应晶体管、以及含有所述碳纳米管复合膜作为半导体型的CNT的PN二极管组成的组中选出的至少一个，

所述碳纳米管复合膜含有无机半导体的微粒和碳纳米管网络，

无机半导体的微粒作为多个碳纳米管彼此的连接点，

所述无机半导体是熔点小于1000℃的金属卤化物，

所述金属卤化物是从由氯化亚铜(CuCl)、溴化亚铜(CuBr)、碘化亚铜(CuI)和氯化亚铁(FeCl₂)组成的组中选出的至少一种。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述多个碳纳米管形成随机网络。

3.如权利要求1或2所述的设备，其特征在于，所述碳纳米管复合膜的光学透过率为50～98％的范围。

4.如权利要求1或2所述的设备，其特征在于，所述碳纳米管复合膜的厚度为1～1000nm的范围。

5.如权利要求1或2所述的设备，其特征在于，所述碳纳米管复合膜的薄膜电阻为1～1000Ω/sq的范围。

6.一种碳纳米管复合膜的制造方法，其特征在于，具有：

第一工序，所述第一工序在基板上形成含有碳纳米管的薄膜和由无机半导体构成的薄膜的层叠膜，或者形成含有碳纳米管和无机半导体的混合物的薄膜；以及，

第二工序，所述第二工序通过用脉冲光照射所述层叠膜或含有所述混合物的薄膜，使无机半导体粒子移动到碳纳米管的连接点，

所述无机半导体是熔点小于1000℃的金属卤化物，

所述金属卤化物是从由氯化亚铜(CuCl)、溴化亚铜(CuBr)、碘化亚铜(CuI)和氯化亚铁(FeCl₂)组成的组中选出的至少一种。