[发明专利]能够湿式除去的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物

说明书

本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用，通过使用了硫酸/过氧化氢等药液的湿蚀刻的方法能够除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)成分和(B)成分，(A)成分包含水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)：R¹_aR²_bSi(R³)_4‑(a+b)式(1)〔式(1)中，R¹表示式(2)：所示的有机基团且通过Si‑C键与硅原子结合。R³表示烷氧基、酰氧基或卤基。a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。〕所示的水解性硅烷，(B)成分为包含具有烷氧基甲基或羟基甲基的环结构的交联性化合物、或者具有环氧基或封端异氰酸酯基的交联性化合物。

技术领域

本发明涉及在半导体装置制造的光刻工序中，用于形成光致抗蚀剂的下层所使用的下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。

背景技术

作为半导体基板与光致抗蚀剂之间的下层膜，使用了作为包含硅、钛等金属元素的硬掩模而已知的膜(参照专利文献1和专利文献2)。在该情况下，抗蚀剂与硬掩模的构成成分具有大的差异，因此它们的通过干蚀刻而被除去的速度大大取决于干蚀刻所使用的气体种类。而且，通过适当选择气体种类，从而不会伴随光致抗蚀剂的膜厚的大幅减少，能够通过干蚀刻而除去硬掩模。这样，在近年来的半导体装置的制造中，为了实现以防反射效果为代表的各种效果，已经在半导体基板与光致抗蚀剂之间配置抗蚀剂下层膜。

这些下层膜必须在对基板进行加工之后除去。此外，在基板上所形成的下层膜产生问题时，有除去下层膜进行再加工的情况。因此，利用氟系气体的干蚀刻；利用氢氟酸、缓冲氢氟酸等的湿蚀刻来进行下层膜的除去。然而该除去方法也对基板带来大的破坏。

因此，要求采用使用了对基板的破坏更少的硫酸/过氧化氢等药液的湿蚀刻能够除去的下层膜。

作为满足该要求的材料，提出了下述抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：使用酸作为催化剂将水解性硅化合物进行水解缩合而得的含有硅的化合物与3价以上的醇的组合(参照专利文献3)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-258813号公报

专利文献2：日本特开2007-163846号公报

专利文献3：日本特开2010-085912号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于提供：用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。

提供用于形成上述抗蚀剂下层膜的除去不仅通过以往的利用氟系气体进行干蚀刻的方法、或利用氢氟酸、缓冲氢氟酸等进行湿蚀刻的方法能够除去，而且通过利用使用了对基板的破坏更少的硫酸/过氧化氢等药液的湿蚀刻的方法能够除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。

用于解决课题的方法

本发明中，作为第1观点，涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)成分和(B)成分，(A)成分包含水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)所示的水解性硅烷，

R¹_aR²_bSi(R³)_4-(a+b) 式(1)

〔式(1)中，R¹表示式(2)所示的有机基团且通过Si-C键与硅原子结合。