[发明专利]用于制备结晶有机半导体材料的方法

权利要求书

1.一种用于制备结晶有机半导体材料的方法，其包括：

(a)提供一种至少一种有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有至少一种溶剂(L1)的溶剂混合物中的溶液，其中该溶剂(L1)具有

在1013.25毫巴下至少140℃的沸点，

在23℃下至少1.2mPas的粘度，及

在20℃下至少31.5mN/m的表面张力，

(b)将步骤(a)中所提供的该溶液施于基板表面以允许该溶剂或溶剂混合物的蒸发及该有机半导体A)的结晶。

2.如权利要求1的方法，其中该有机半导体A)的该结晶是自气液界面进行。

3.如以上权利要求中任一项的方法，其中在提供该有机半导体A)于溶剂(L1)或于含有溶剂(L1)的溶剂混合物中的该溶液后，不向该溶液添加额外组分以实现该有机半导体A)的结晶。

4.如以上权利要求中任一项的方法，其中该所获结晶有机半导体材料具有大于10x10μm²的面积，其中平均厚度是最多0.1μm，更优选最多0.05μm，特别地是最多0.01μm。

5.如以上权利要求中任一项的方法，其中步骤a)中所使用的该溶剂(L1)或该含有溶剂(L1)的溶剂混合物具有在1013.25毫巴下至少150℃的沸点。

6.如以上权利要求中任一项的方法，其中该溶剂(L1)在23℃下具有在1.3至1000mPas范围内的粘度。

7.如以上权利要求中任一项的方法，其中该溶剂(L1)在20℃下具有在32至65mN/m范围内，优选在32至44mN/m范围内的表面张力。

8.如以上权利要求中任一项的方法，其中该有机半导体A)在20℃下于步骤a)中所使用的该溶剂(L1)或该含有溶剂(L1)的溶剂混合物中具有至少0.01mg/ml，优选至少0.05mg/ml的溶解度。

9.如以上权利要求中任一项的方法，其中用来提供该有机半导体A)的溶液的溶剂仅由溶剂(L1)组成。

10.如以上权利要求中任一项的方法，其中用来提供该有机半导体A)的溶液的溶剂是至少一种溶剂(L1)及至少一种不同于(L1)的溶剂(L2)的混合物。

11.如权利要求10的方法，其中溶剂(L1)于该溶剂混合物中的量基于该溶剂混合物的总重量是在1至99重量％，优选2至98重量％，更优选5至95重量％的范围内。

12.如以上权利要求中任一项的方法，其中该溶剂(L1)选自

L1.1)至少一种在20℃及1013毫巴下是液体的选自式(I)化合物的化合物

R^c-X¹-A-X²-R^d

(|)

其中

A是5至8员未被取代或被取代的脂族或芳族碳环或杂环，

X¹及X²独立地选自*-(C＝O)-O-、*-(CH₂)_m-O-或*-(CH₂)_m-O-(C＝O)-，其中*是连接至该脂族或芳族碳环或杂环的点，且m具有值0、1或2，

及

R^c及R^d独立地选自非支化及支化C₁-C₁₂烷基及C₂-C₁₂烯基，

L1.2)苯甲酸烷基酯，

L1.3)羟基苯甲酸酯，

L1.4)碳酸亚烷基酯，

L1.5)芳族脂族酮，

L1.6)二甲基亚砜(DMSO)，

L1.7)N-甲基吡咯啶酮，

L1.8)含有环脂族环的多环烃，

L1.9)二氯苯，

及其混合物。