[发明专利]SiC单晶的制造方法和SiC单晶的制造装置

权利要求书

1.一种SiC单晶的制造方法，在该制造方法中，利用溶液生长法来制造SiC单晶，其中，

该制造方法包括包括以下工序：

准备工序，在该准备工序中，准备制造装置，该制造装置包括容纳有Si－C溶液的原料的坩埚、在下端安装有晶种的晶种轴、以及在中央具有供所述晶种轴穿过的通孔且能够配置于所述坩埚内的中盖；

生成工序，在该生成工序中，对所述坩埚内的所述原料进行加热而生成所述Si－C溶液；

生长工序，在该生长工序中，使所述晶种与所述Si－C溶液相接触，从而在所述晶种上制造所述SiC单晶；以及

中盖调整工序，在所述生长工序中实施该中盖调整工序，使所述中盖和所述坩埚中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将所述中盖与所述Si－C溶液之间的高度方向距离的变动幅度调整到第1基准范围内。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，

在所述中盖调整工序中，根据所述生长工序中的所述Si－C溶液的液面高度的每单位时间的变动量来调整所述中盖与所述Si－C溶液之间的高度方向距离的所述变动幅度。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，

所述制造装置还包括配置于所述坩埚的周围的高频加热线圈，

所述制造方法还包括线圈调整工序，在所述生长工序中实施该线圈调整工序，使所述高频加热线圈和所述坩埚中的任一者相对于另一者在高度方向上相对移动，从而将所述高频加热线圈与所述Si－C溶液之间的高度方向上的相对位置的变动幅度调整到第2基准范围内。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，

在所述线圈调整工序中，根据所述生长工序中的所述Si－C溶液的液面高度的每单位时间的变动量来调整所述高频加热线圈与所述Si－C溶液之间的高度方向上的相对位置的变动幅度。

5.一种SiC单晶的制造装置，其用于利用溶液生长法来制造SiC单晶，其中，

该制造装置包括：

箱体，其能够收纳坩埚，该坩埚能够容纳Si－C溶液；

基台，能够在该基台配置所述坩埚；

晶种轴，其具有能够安装晶种的下端面；

中盖，其在中央具有供所述晶种轴穿过的通孔，该中盖位于所述坩埚内且能够配置在所述Si－C溶液的液面的上方，

所述基台和所述中盖中的任一者能够相对于另一者沿高度方向相对移动。

6.根据权利要求5所述的制造装置，其中，

该制造装置还包括筒状的高频加热线圈，

所述坩埚能够配置在高频加热线圈内，

所述基台和所述高频加热线圈中的任一者能够相对于另一者沿高度方向相对移动。

7.根据权利要求5或6所述的制造装置，其中，

该制造装置包括中盖升降机构，该中盖升降机构用于使所述中盖相对于所述晶种轴和所述基台独立地升降。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的制造装置，其中，

该制造装置包括坩埚升降机构，能够将所述坩埚配置于该坩埚升降机构的上端，该坩埚升降机构用于使所述基台相对于所述中盖独立地升降。

9.根据权利要求6所述的制造装置，其中，

该制造装置包括线圈升降机构，该线圈升降机构用于使所述高频加热线圈升降。