[发明专利]高电压零反向恢复电荷自举供应器

权利要求书

1.一种布置在半桥接拓扑中的电路，包括：

高侧晶体管；

低侧晶体管；

高侧栅极驱动器和准位移位器，其具有被电耦合至所述高侧晶体管的栅极的输出；

低侧栅极驱动器，其具有被电耦合至所述低侧晶体管的栅极的输出；

与所述高侧栅极驱动器和准位移位器并联地电耦合的电容器；

具有正输出的电压源；以及

被电耦合在所述电压源的所述正输出和所述电容器之间的自举装置；

其中所述自举装置为晶体管，所述晶体管具有电耦合至所述低侧栅极驱动器的输出和所述低侧晶体管的栅极的控制端子，以及

其中所述自举装置被同步到所述低侧晶体管。

2.如权利要求1所述的电路，其中所述自举装置为GaN场效应晶体管。

3.如权利要求1所述的电路，其中所述自举装置为耗尽型晶体管，且所述耗尽型晶体管的栅极被电耦合到所述低侧栅极驱动器的输出。

4.如权利要求3所述的电路，其中所述耗尽型晶体管的漏极被电耦合到所述高侧栅极驱动器和准位移位器的输入。

5.如权利要求1所述的电路，其中所述自举装置为增强型晶体管。

6.如权利要求5所述的电路，其中所述增强型晶体管为未被钳位的。

7.如权利要求5所述的电路，其中所述增强型晶体管以并联于所述电容器的齐纳二极管来钳位。

8.如权利要求5所述的电路，其中供给到所述增强型晶体管的电压比供给到所述低侧栅极驱动器的电压要高。

9.如权利要求5所述的电路，还包括与所述低侧栅极驱动器电气通信的调节器。

10.如权利要求7所述的电路，还包括串联在所述增强型晶体管的漏极和所述齐纳二极管之间的电阻。

11.如权利要求7所述的电路，还包括被集成到所述增强型晶体管的一电阻。

12.如权利要求5所述的电路，其中所述增强型晶体管以两个串联连接的增强型GaN场效应晶体管来钳位，所述增强型晶体管的每一个的栅极短路到它们各自的源极。

13.如权利要求1所述的电路，还包括：

被电耦合在所述电压源和所述自举装置的栅极之间的二极管；以及

被电耦合在所述自举装置的栅极和所述低侧栅极驱动器的输出之间的第二电容器。

14.如权利要求1所述的电路，其中所述自举装置与所述高侧晶体管和所述低侧晶体管集成在一起。

15.一种自举布置在半桥接拓扑中的电路的方法，其中所述电路包括高侧晶体管、低侧晶体管、被电耦合至所述高侧晶体管的栅极的高侧栅极驱动器和准位移位器、具有被电耦合至所述低侧晶体管的栅极的输出的低侧栅极驱动器、与所述高侧栅极驱动器和准位移位器并联地电耦合的电容器、具有正输出的电压源和被电耦合在所述电压源的所述正输出和所述电容器之间的自举GaN场效应晶体管，所述自举GaN场效应晶体管具有电耦合至所述低侧晶体管的所述栅极和所述低侧栅极驱动器的所述输出的栅极，其中所述方法包括：

与所述电路的所述低侧晶体管同步地开关所述自举GaN场效应晶体管。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述低侧晶体管为GaN场效应晶体管。

17.如权利要求15所述的方法，其中所述自举GaN场效应晶体管为耗尽型晶体管。