[发明专利]含金属硫属化合物的装置

说明书

一些实施例包含一种装置，所述装置具有导电材料、含金属硫属化合物材料及位于所述含金属硫属化合物材料与所述导电材料之间的区域。所述区域含有组合物，所述组合物具有至少约3.5电子伏特的带隙及在从约1.8到25的范围内的介电常数。一些实施例包含一种装置，所述装置具有第一电极、第二电极及位于所述第一电极与所述第二电极之间的含金属硫属化合物材料。所述装置还包含位于所述含金属硫属化合物材料与所述第一电极及所述第二电极中的一者之间的电场修改区域。所述电场修改区域含有组合物，所述组合物具有至少约3.5电子伏特的带隙、具有低介电常数及相对于所述含金属硫属化合物材料的金属的功函数偏移的低传导带。

相关专利数据

本专利主张对序列号为62/053,912的美国临时专利申请案的优先权，所述美国临时专利申请案于2014年9月23日提出申请，且特此以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及含有具有电化学活性金属离子的半导电硫属化合物的装置。

背景技术

存储器通常并入到集成电路中。存储器可(举例来说)在计算机系统中用于存储数据。

存储器可制作为个别存储器单元阵列，其中每一存储器单元经配置以将存储器保持或存储于至少两种不同可选择状态中。在二进制系统中，存储条件被视为“0”或“1”。

一种类型的存储器单元包括在其间接纳有可编程材料的两个导电电极且可适于在交叉点阵列架构中利用。交叉点阵列架构允许密集包装式存储器(即，每4F²占用面积更多存储位)的三维多层堆叠。大交叉点阵列中的存储器单元可为PCM、CBRAM、ReRAM/RRAM或STT-RAM/STT-MRAM等中的任一者。

利用交叉点存储器的困难是：可存在穿过非选定单元的实质电流泄漏，且此可在写入所存储数据及从大存储器阵列检索所存储数据期间不利地导致干扰、浪费电力及错误。因此，二极管或其它选择装置通常在每一交叉点处与存储器单元成对以辅助对穿过存储器单元的电流的控制，(例如)以便减少从任何半选定及非选定单元的泄漏。

下文所描述的一些方面涉及适于用作选择装置的集成式装置。

附图说明

图1及3到7是实例性实施例装置的图解性横截面图。

图2是在操作“接通”状态下所展示的实例性实施例装置的区域的图解性横截面图。

具体实施方式

一些实施例涉及适于用作存储器阵列中的选择(即，存取)装置的含金属硫属化合物装置。参考图1到7描述实例性实施例装置。

参考图1，装置10包括一对电极12及14，且包括位于所述电极之间的含金属硫属化合物材料16。

电极12及14可包括任何适合导电组合物或组合物的组合；且在一些实施例中可包括以下各项中的一或多者、基本上由以下各项中的一或多者组成或由以下各项中的一或多者组成：各种金属(举例来说，钨、钛等)、含金属组合物(举例来说，金属氮化物、金属碳化物、金属硅化物等)及经导电掺杂半导体材料(举例来说，经导电掺杂硅、经导电掺杂锗等)。电极12及14可包括彼此相同的组合物，或可包括相对于彼此不同的组合物。在一些实施例中，所述电极中的一者可包括氮化钛、基本上由氮化钛组成或由氮化钛组成；而另一者包括钨、基本上由钨组成或由钨组成。

含金属硫属化合物材料16可包括金属及一或多种半导体材料。举例来说，材料16可包括与锗及硒中的一者或两者组合的铜；可包括与锗及硒中的一者或两者组合的银等。包括金属及硫属化合物的组合物可在本文中称为金属/硫属化合物。