[发明专利]硅光子调制器驱动器有效
申请号: | 201580057008.4 | 申请日: | 2015-10-15 |
公开(公告)号: | CN107078699B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 卡达巴·拉克什库马尔;克莱格·阿佩尔 | 申请(专利权)人: | 思科技术公司 |
主分类号: | H03F1/08 | 分类号: | H03F1/08;H03F3/45 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 林强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光子 调制器 驱动器 | ||
1.一种用于将差分输入信号转换为互补式互补金属氧化物半导体(CMOS)输出信号的转换装置,所述转换装置包括:
差分放大器,该差分放大器被配置为基于所述差分输入信号来产生第一放大信号;
至少两个互阻放大器(TIA),该至少两个TIA与所述差分放大器的相应的差分输出耦接并且被配置为基于所述第一放大信号来产生第二放大信号,其中所述TIA的相应偏置电压基于所述第一放大信号;以及
共模反馈装置,该共模反馈装置与所述TIA的输出耦接并且被配置为基于所述第二放大信号来控制所述第一放大信号,由此控制所述偏置电压,
其中,该互补式CMOS输出信号基于所述第二放大信号;
其中,所述差分放大器包括:
第一对具有第一导通类型的MOS器件,该第一对中的每个MOS器件被配置为接收所述差分输入信号的一个差分输入;以及
第二对具有第二导通类型的MOS器件,该第二对中的每个MOS器件作为所述第一对中的相应MOS器件的电流源负载而进行操作,
其中所述共模反馈装置与所述第二对中的每个MOS器件的栅极耦接以控制所述第一放大信号。
2.根据权利要求1所述的转换装置,其中,所述至少两个TIA中的每一个TIA包括相应的反相器。
3.根据权利要求2所述的转换装置,其中,所述偏置电压中的每一个偏置电压被控制为等于所述相应的反相器的跳变点。
4.根据权利要求1所述的转换装置,还包括反相器放大装置,该反相器放大装置与所述TIA的输出耦接并且被配置为基于所述第二放大信号来产生轨到轨互补式CMOS输出信号。
5.根据权利要求4所述的转换装置,其中,所述反相器放大装置包括一个或多个交叉耦合反相器级。
6.根据权利要求1所述的转换装置,其中,所述差分输入信号是电流模式逻辑(CML)信号。
7.一种驱动器,该驱动器被配置为接收差分输入信号并且产生用于驱动调制器器件的互补式互补金属氧化物半导体(CMOS)输出信号,所述驱动器包括:
被配置来进行以下操作的转换装置:
在差分放大级处放大所述差分输入信号来产生第一放大信号;
使用与所述差分放大级的相应的差分输出耦接的至少两个互阻放大器(TIA)放大所述第一放大信号来产生第二放大信号,其中这些TIA的相应偏置电压基于所述第一放大信号;以及
基于所述第二放大信号并且使用与所述差分放大级耦接的反馈装置来产生用于所述差分放大级的控制信号,
其中,所述控制信号到所述差分放大级的应用操作以控制所述TIA的偏置电压;
其中,所述差分放大级包括:
第一对具有第一导通类型的MOS器件,该第一对中的每个MOS器件被配置为接收所述差分输入信号的一个差分输入;以及
第二对具有第二导通类型的MOS器件,该第二对中的每个MOS器件作为所述第一对中的相应MOS器件的电流源负载而进行操作,
其中所述反馈装置与所述第二对中的每个MOS器件的栅极耦接以控制所述第一放大信号。
8.根据权利要求7所述的驱动器,
其中所述至少两个TIA中的每一个TIA包括相应的反相器,并且
其中所述偏置电压中的每一个偏置电压被控制为等于所述相应的反相器的跳变点。
9.根据权利要求7所述的驱动器,其中,所述转换装置还被配置为:在与所述TIA的输出耦接的第二反相器放大级处基于所述第二放大信号产生轨到轨互补式CMOS输出信号。
10.根据权利要求7所述的驱动器,还包括与所述转换装置的输出耦接的数据多路复用装置。
11.根据权利要求7所述的驱动器,还包括与所述转换装置的输出耦接的输出放大级。
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