[发明专利]受光器、便携式电子设备和受光器的制造方法有效
申请号: | 201580057073.7 | 申请日: | 2015-07-28 |
公开(公告)号: | CN107078182B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 内桥正明;夏秋和弘;内田雅代;泷本贵博 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;G01J1/42 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 受光器 便携式 电子设备 制造 方法 | ||
1.一种受光器,其包括:第一受光元件;与所述第一受光元件结构相同的第二受光元件;和形成在所述第一受光元件上的将紫外区域的波长截止的滤光片,通过对来自所述第一受光元件和第二受光元件的输出进行运算,仅输出所述紫外区域的波长的输出,该受光器的特征在于:
所述第一受光元件和第二受光元件分别通过在第一导电型的半导体衬底上形成第二导电型的第一扩散层,在所述第一扩散层内形成第一导电型的第二扩散层,在所述第二扩散层内形成第二导电型的第三扩散层而形成,并且,
所述半导体衬底、所述第一扩散层和第二扩散层在电气上为相同电位或被短路,
在所述半导体衬底上形成有用于形成配线层的配线层用绝缘膜,并且,
在所述半导体衬底与配线层用绝缘膜之间,层叠有由与所述配线层用绝缘膜相同的材料构成的第一防反射膜和由与该第一防反射膜不同的材料构成的第二防反射膜,所述第二防反射膜位于所述第一防反射膜与所述配线层用绝缘膜之间。
2.如权利要求1所述的受光器,其特征在于:
所述配线层用绝缘膜和所述第一防反射膜由硅氧化膜构成,
所述第二防反射膜由硅氮化膜构成。
3.如权利要求1或2所述的受光器,其特征在于:
所述将紫外区域的波长截止的滤光片由干涉膜构成,该干涉膜通过将二氧化硅(SiO2)和五氧化铌(Nb2O5)、或二氧化硅(SiO2)和二氧化钛(TiO2)、或二氧化硅(SiO2)和氧化铝(Al2O3)依次反复层叠而形成。
4.如权利要求3所述的受光器,其特征在于:
所述干涉膜通过使用溅射法将作为氧化膜的二氧化硅(SiO2)和作为金属膜的五氧化铌(Nb2O5)、二氧化钛(TiO2)或氧化铝(Al2O3)依次反复层叠而形成,所述溅射法的溅射处理温度为95℃以下。
5.一种便携式电子设备,其特征在于:
包括权利要求1~4中任一项所述的受光器。
6.一种受光器的制造方法,其为权利要求1~5中任一项所述的受光器的制造方法,其特征在于,包括:
将第一受光元件和第二受光元件中的第一扩散层、第二扩散层和第三扩散层彼此分别同时形成,并且,
将所述半导体衬底上的第一受光元件和第二受光元件中的配线层用绝缘膜、第一防反射膜和第二防反射膜也彼此分别同时形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的