[发明专利]霍尔元件

说明书

本发明涉及一种S/N比优异的霍尔元件。具备基板(100)、配置在基板上的第一电极(22a)和第二电极(23a)、配置在基板上且与第一电极相向的位置的第三电极(22b)、配置在基板上且与第二电极相向的位置的第四电极(23b)、以及与第一电极至第四电极连接的感磁部(10)。感磁部(10)具备呈矩形形状的第一感磁区域(10‑1)、与第一感磁区域垂直地交叉的第二感磁区域(10‑2)、以及形成于交叉区域(10‑0)的附近的第三感磁区域(10‑3)至第六感磁区域(10‑6)，该交叉区域是第一感磁区域与第二感磁区域交叉的区域。

技术领域

本发明涉及一种霍尔元件。

背景技术

以往，磁传感器被应用于电流检测装置、位置检测装置等很多磁传感器产品。作为磁传感器的代表例，存在利用霍尔效应的霍尔元件。

霍尔元件一般具有感磁部、用于使电流流过感磁部的电流电极对以及用于检测霍尔电动势的输出电极对，而且，根据从输出电极对检测出的霍尔电动势来检测施加到感磁部的磁的大小和朝向。

例如，在专利文献1所记载的霍尔元件中，十字型的霍尔元件的四个内角部分不是直角，而是设为对该四个内角部分施加斜倒角所得到的形状。

图1是用于说明专利文献1所记载的霍尔元件的结构图。专利文献1所记载的霍尔元件具有十字型的感磁部2，在一个方向上的两端部设置有霍尔端子5，在另一个方向上的两端部设置有电流端子6。感磁部2呈十字型的形状，因此具有四个内角部分3。而且，这些内角部分3都不是直角，而是被进行了斜倒角。该倒角部7相对于内角部分3呈三角板状地突出，在纵横的尺寸L为200μm、宽W为100μm的十字形状的图案中，倒角部7的一边为X＝10μm的大小。根据这种结构，能够减小因内角部分3的几何学的不平衡而产生的不平衡电压。

另外，在专利文献2所记载的霍尔元件中，将感磁部的形状设为十字型并且将感磁部设置在半导体芯片的正反两面，来实现灵敏度的提高。

专利文献1：日本特开平1-298354号公报

专利文献2：日本特开2003-101096号公报

发明内容

发明要解决的问题

近年来，随着要求磁传感器产品的小型化而要求霍尔元件的小型化。霍尔元件的小型化与感磁部的小型化相关，感磁部的小型化导致S/N(信噪比)的劣化。当S/N劣化时，无法准确地检测施加到感磁部的磁的大小。

上述的专利文献1的霍尔元件、专利文献2的霍尔元件都存在S/N不足这样的问题。

本发明是鉴于这种问题而完成的，其目的在于提供一种S/N优异的霍尔元件。

用于解决问题的方案