[发明专利]硅烷偶联剂层层叠高分子膜

权利要求书

1.一种硅烷偶联剂层层叠高分子膜，其特征在于，其是在至少一侧的面上形成有硅烷偶联剂层的硅烷偶联剂层层叠高分子膜，该硅烷偶联剂层的三维表面粗糙度Sa为5.0nm以下，

在所述硅烷偶联剂层中，长径10μm以上的包含硅的异物的个数为2000个/m²以下。

2.根据权利要求1所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜，其特征在于，所述硅烷偶联剂层形成规定图案。

3.根据权利要求1或2所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜，其特征在于，所述高分子膜为面积1000cm²以上的高分子膜。

4.根据权利要求1或2所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜，其特征在于，所述高分子膜为聚酰亚胺膜。

5.一种硅烷偶联剂层层叠高分子膜的制造方法，其特征在于，其为制造权利要求1所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜的方法，其包括通过使高分子膜暴露在气化的硅烷偶联剂中而形成硅烷偶联剂层的工序，该工序不使用真空，使所述高分子膜暴露在所述硅烷偶联剂中的时间为20分钟以内。

6.根据权利要求5所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜的制造方法，其特征在于，其包括通过使高分子膜暴露在利用鼓泡方式气化的硅烷偶联剂中而形成硅烷偶联剂层的工序。

7.根据权利要求6所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜的制造方法，其特征在于，在使硅烷偶联剂气化时使用露点为0℃以下的干燥气体作为载气。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜的制造方法，其特征在于，在使高分子膜暴露于气化的硅烷偶联剂时共存有露点为5℃以上的气体。

9.根据权利要求5～7中任一项所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜的制造方法，其特征在于，在使高分子膜暴露于气化的硅烷偶联剂时对该高分子膜施加电场。

10.根据权利要求5～7中任一项所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜的制造方法，其特征在于，在形成硅烷偶联剂层时，通过遮掩高分子膜的一部分而形成图案。

11.根据权利要求5～7中任一项所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜的制造方法，其特征在于，通过在硅烷偶联剂层形成后对硅烷偶联剂层的一部分照射活性能量射线，而形成规定的图案。

12.一种层叠体，其特征在于，其是将至少1片以上的无机基板与至少一片以上的权利要求1或2所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜接合而成的层叠体，该无机基板与该高分子膜的剥离强度为0.3N/cm以上且15N/cm以下。

13.一种层叠体，其特征在于，其是将至少1片以上的无机基板与至少1片以上的权利要求1或2所述的硅烷偶联剂层层叠高分子膜接合而成的层叠体，该层叠体具有该无机基板与该高分子膜之间的剥离强度不同的良好粘接部分和易剥离部分，且该良好粘接部分的剥离强度为0.3N/cm以上且15N/cm以下、易剥离部分的剥离强度为不足0.3N/cm且比良好粘接部弱0.1N/cm以上的剥离强度。

14.一种层叠体的制造方法，其为权利要求12或13所述的层叠体的制造方法，其特征在于，其具有下述(1)～(3)的工序，即，

(1)通过使高分子膜暴露于气化的硅烷偶联剂中而在高分子膜上形成硅烷偶联剂层、使所述高分子膜暴露在所述硅烷偶联剂中的时间为20分钟以内的工序；

(2)将对该硅烷偶联剂层进行过活性能量射线照射处理的高分子膜重叠于无机基板的工序；以及

(3)通过加压而将两者粘接的工序。