[发明专利]偏振分束器和旋转器设备

权利要求书

1.一种偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于，包括：

光模式转换器(501)，包括第一光波导(511)，其中所述第一光波导(511)的芯层(515、517a、517b)的形状是不对称的，引发耦合到所述第一光波导(511)中的偏振光将其零阶的横磁模(TM0)转换到一阶的横电模(TE1)同时保持其零阶的横电模(TE0)不变；

输出耦合器(503)，包括耦合到所述第一光波导(511)的第二光波导(512)和绝热耦合到所述第二光波导(512)的第三光波导(513)，所述绝热耦合引发从所述第一光波导(511)耦合到所述第二光波导(512)的所述偏振光通过将其一阶的横电模(TE1)作为零阶的横电模(TE0)耦合到所述第三光波导(513)中并且保持其零阶的横电模(TE0)在所述第二光波导(512)中传播无需耦合到所述第三光波导(513)，在所述第二光波导(512)和所述第三光波导(513)之间传播其能量。

2.根据权利要求1所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第一光波导(511)的所述芯层(515、517a、517b)的所述形状相对于所述第一光波导(511)的纵轴和/或横轴是不对称的。

3.根据权利要求1或2所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第一光波导(511)的所述芯层(515、517a、517b)包括形成所述芯层(515、517a、517b)的所述不对称形状的至少一处磨损。

4.根据前述权利要求之一所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第一光波导(511)的所述芯层(515、517a、517b)包括第一部分(515)和第二部分(517a、517b)，所述第二部分(517a、517b)的厚度与所述第一部分(515)的不同，其中所述第一部分(515)和所述第二部分(517a、517b)的所述不同厚度形成所述芯层(515、517a、517b)的所述不对称形状。

5.根据前述权利要求之一所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第一光波导(511)的所述芯层(515、517a、517b)的横截面是不对称的。

6.根据前述权利要求之一所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第一光波导(511)的所述芯层(515、517a、517b)的横截面的形状是第一矩形(521)，所述第一矩形(521)放置在第二矩形(523a、523b)之上，所述第二矩形(523a、523b)的大小与所述第一矩形(521)的不同。

7.根据前述权利要求之一所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第二光波导(512)是所述第一光波导(511)的延续。

8.根据前述权利要求之一所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第二光波导(512)的形状是对称的。

9.根据前述权利要求之一所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第一光波导(511)的所述芯层(515、517a、517b)在所述第一光波导(511)的纵向上是一个锥形结构。

10.根据前述权利要求之一所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第一光波导(511)的所述芯层(515、517a、517b)的折射率范围在1.8与2.5之间。

11.根据前述权利要求之一所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第一光波导(511)的所述芯层(515、517a、517b)由氮化硅、SiON、ta2O5和TiO2之一制成。

12.根据前述权利要求之一所述的偏振分束器和旋转器设备(500)，其特征在于：

所述第一光波导(511)的所述芯层(515、517a、517b)嵌入在包层(519)中，尤其是由二氧化硅制成的包层(519)，所述包层(519)的折射率与所述芯层(515、517a、517b)的不同。