[发明专利]固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法和电子装置有效
申请号: | 201580057669.7 | 申请日: | 2015-10-22 |
公开(公告)号: | CN107078147B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 兼田有希央 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 元件 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种固态摄像元件,其包括:
第一像素,其包括由光电转换膜以及上下夹持所述光电转换膜的第一电极和第二电极形成的光电转换单元,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一者针对每个像素分离;
第二像素,其包括所述光电转换单元和分离电极,其中,所述分离电极针对每个像素分离并形成为具有比所述第一像素的所述第二电极的平面尺寸更小的平面尺寸;以及
第三像素,其与所述第二像素相邻并包括至少延伸至所述第三像素的边界的第三电极,所述第三电极还形成在所述第二像素的由于更小的平面尺寸而空出的区域中。
2.如权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述第三电极连接到用于保持由所述光电转换单元生成的电荷的电荷保持单元。
3.如权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述第三电极是所述第三像素的分离电极。
4.如权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述第三电极跨越包括所述第一像素、所述第二像素及所述第三像素的三个像素。
5.如权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述第三电极连接到用于提供固定电位的配线。
6.如权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述第三电极是形成在所述第一像素和所述第二像素之间的元件分离电极。
7.如权利要求1所述的固态摄像元件,其中,所述第三电极是不与配线连接的隔离图案。
8.如权利要求1-7中任一项所述的固态摄像元件,其中,所述第二像素是用于生成焦点检测用信号的相位差像素。
9.如权利要求1-7中任一项所述的固态摄像元件,其中,所述光电转换膜是对预定颜色的波长的光进行光电转换的膜。
10.如权利要求9所述的固态摄像元件,其中,所述光电转换膜是对绿色波长光进行光电转换的膜。
11.如权利要求1-7中任一项所述的固态摄像元件,其中,
所述第二像素在半导体基板中还设置有无机光电转换单元,且
所述无机光电转换单元对未受到所述光电转换单元的光电转换的波长的光进行光电转换。
12.如权利要求1-7中任一项所述的固态摄像元件,其中,所述光电转换膜是能够对红色波长光、绿色波长光和蓝色波长光进行光电转换的膜。
13.如权利要求12所述的固态摄像元件,其中,
在所述光电转换膜上方布置有红色、绿色或蓝色的滤色器,且
所述光电转换膜对穿过所述滤色器的光进行光电转换。
14.一种制造固态摄像元件的方法,其包括:
形成第一像素、第二像素和第三像素,所述第一像素包括由光电转换膜以及上下夹持所述光电转换膜的第一电极和第二电极形成的光电转换单元,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一者针对每个像素分离,且所述第二像素包括所述光电转换单元和分离电极,其中,所述分离电极针对每个像素分离并形成为具有比所述第一像素的所述第二电极的平面尺寸更小的平面尺寸,所述第三像素,其与所述第二像素相邻并包括至少延伸至所述第三像素的边界的第三电极,所述第三电极还形成在所述第二像素的由于更小的平面尺寸而空出的区域中。
15.一种包括如权利要求1-13中任一项所述的固态摄像元件的电子装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580057669.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:视网膜下切向针导管引导件和引入器
- 下一篇:干眼症治疗及视力强化机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的