[发明专利]导电性颗粒、导电性粉体、导电性高分子组合物和各向异性导电片

说明书

本发明提供与现有技术相比体积电阻率格外小且导电性良好、更理想为廉价的导电性颗粒、导电性粉体、导电性高分子组合物以及各向异性导电片。导电性颗粒10具有覆盖含有5～15质量％以下P的球状Ni核11的表面的第一镀层12(纯Ni镀层或含有4.0质量％以下P的Ni镀层)。导电性颗粒可以还具有覆盖第一镀层12的表面的厚度5～200nm的Au镀层。导电性粉体是含有导电性颗粒的粉体，中位粒径d50为3～100μm，并且(d90－d10)/d50≤0.8。导电性高分子组合物包含上述导电性粉体和高分子。各向异性导电片由上述导电性高分子组合物形成，其中，上述导电性颗粒沿厚度方向排列。

技术领域

本发明涉及导电性颗粒、导电性粉体、导电性高分子组合物和各向异性导电片。

背景技术

近年来，以含有P等的半金属的球状Ni合金颗粒为核的导电性颗粒、作为该导电性颗粒的集合体的导电性粉体、使用该导电性粉体的导电性高分子组合物、以及使用该导电性高分子组合物的导电片(导电膜)广泛用于电子部件之间的电连接的用途等。特别地，在小型电子装置(例如移动电话等)中，广泛使用在厚度方向上具有特殊的导电性的各向异性导电片或各向异性导电膜。

虽然上述Ni合金颗粒本身也是导电性颗粒，但是，通常进行在表面设置导电性优异且金属特性稳定的Au镀层的操作。例如，专利文献1中记载了一种导电性颗粒，其配置为具有含有半金属(C、B、P、Si、As、Te、Ge、Sb等)的结晶质的Ni合金颗粒(核)、和设置在该核的表面的1μm以下的厚度的Au镀层的结构。专利文献2中记载了一种导电性颗粒，其配置为具有：以Ni为主体且含有P、并且具有分散有NiP金属间化合物的表层部的球状NiP微粒(核)；和设置在该核的表面的Au镀层的结构。专利文献3中记载了含有Ni、P和Cu，还可以含有Sn的还原析出型球状NiP微粒(核)、其制造方法以及在该核的表面具有Au的结构的导电性颗粒。

此外，专利文献4、5中记载了具有在导电细颗粒的最外表面具有Pd层的结构的导电性颗粒。在专利文献4中记载了如下结构的导电性颗粒：例如在树脂微粒(核)的表面具有含有Ni和7质量％以上的P的、厚度例如为40nm～150nm的镀层，进一步在最外表面具有厚度例如为10nm～50nm的Pd层。专利文献5记载了如下结构的导电性颗粒：其在材料不受限制的芯材颗粒(核)的表面具有含有Ni和1质量％以上且小于10质量％的P的晶体结构的基膜，在该基膜的表面具有含有Ni、P和M(W、Pd、Pt和Mo中的一种以上)的晶体结构的上层被膜，还具有由Au或Pd构成的最外层被膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-363603号公报

专利文献2：日本特开2006-131978号公报

专利文献3：日本特开2009-197317号公报

专利文献4：日本特开2011-175951号公报

专利文献5：日本特开2014-13660号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

专利文献1～3中记载的导电性颗粒使用含有Ni和P等的Ni颗粒(以下称为“NiP颗粒”)作为核。NiP颗粒本身也是导电性颗粒，通过例如使用次磷酸作为还原剂的湿式无电解还原反应制造。然而，含有P等的NiP颗粒比不含P等的高纯度Ni颗粒(以下称为“纯Ni颗粒”)体积电阻值大且电导性低。纯Ni颗粒可以通过例如使用肼作为还原剂的湿式无电解还原反应制造，但是能够制造的最大粒径例如为5μm。因此，例如，需要20μm～50μm的粒径时，使用的是NiP颗粒。另外，专利文献4、5中记载的导电性颗粒中，也可以使用非金属颗粒作为核。然而，非金属颗粒的体积电阻率格外大于NiP颗粒，并且导电性低。