[发明专利]用于电子器件的材料

说明书

本发明涉及包含式(A)的单芳基胺和所限定式的p型掺杂剂的材料。本发明还涉及所述材料在电子器件的有机层中的用途，所述器件优选是有机发光二极管(OLED)。

技术领域

本申请涉及包含所限定式(A)的单芳基胺和铋的络合物的材料。本申请还涉及所述材料在电子器件的有机层中的用途，所述器件优选是有机电致发光器件(OLED)。

背景技术

术语“包含”/“包括”在本申请的上下文中被理解为是指可存在其它的成分或步骤。不定冠词“一个”/“一种”并不排除多个/种。

电子器件在本申请的上下文中被理解为是指所谓的有机电子器件，其包含有机半导体材料作为功能材料。

将有机化合物用作功能材料的OLED的结构描述于例如US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中。通常，术语OLED被理解为是指具有一个或多个包含有机化合物的层并且在施加电压时发光的电子器件。

具有空穴传输功能的层(空穴传输层)，例如空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，对电子器件的性能数据具有很大的影响。

现有技术公开了单芳基胺作为空穴传输层的材料的用途。这种单芳基胺描述于例如JP 1995/053955、WO 2006/123667、JP 2010/222268、WO 2012/034627、WO 2013/120577、WO 2014/015938和WO 2014/015935中。

此外，现有技术公开了在OLED的空穴传输层中使用p型掺杂剂与空穴传输材料的组合。这里的p型掺杂剂应理解为是指当作为次要成分添加到主要成分时显著提高其电导率的化合物。

现有技术中已知的p型掺杂剂是有机电子受体化合物，例如7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(F4TCNQ)。例如在WO 2011/33023和WO 2013/182389中，现有技术还公开了过渡金属阳离子和主族金属阳离子的金属络合物作为p型掺杂剂。

现有技术中已知的空穴传输材料和现有技术中已知的p型掺杂剂导致了多种潜在可能的组合。其中，在现有技术中仅公开了几种。这里在OLED的空穴传输层中可举例提及作为p型掺杂剂的主族金属络合物与四胺(例如2,2',7,7'-四(N,N-二对甲苯基)氨基-9,9-螺二芴)的组合。这在WO 2013/182389中公开。来自现有技术的另一个实例是在OLED的空穴传输层中F4TCNQ与单芳基胺(例如三-对联苯胺)的组合。这在WO 2013/135352中公开。

然而，在空穴传输层中包含这些材料的OLED在寿命和效率方面需要改进。

另外需要能够高效掺杂具有低HOMO的空穴传输材料、特别是具有-5.0至-5.4eV范围内的HOMO的空穴传输材料的p型掺杂剂，使得可以获得具有合适电导率和低HOMO能级的掺杂剂-空穴传输材料组合。这里通过实施例中说明的方法来确定HOMO能量。合适且优选的电导率在10^-4S/m至10^-3S/m范围内，该值由实施例中说明的方法确定。使用具有低HOMO的空穴传输材料是非常需要的，因为这不需要在空穴传输层与发光层之间插入具有低HOMO的另一个层。这使得能够更简单地构造OLED并因此实现更有效的生产过程。如果在空穴传输层与发光层之间插入另一个层，则在空穴传输层具有低HOMO的期望情况下，由于空穴传输层的HOMO不高于空穴传输层与发光层之间的层的HOMO，可以避免空穴势垒并因此避免空穴传输层与发光层之间的电压降。这可例如通过在空穴传输层和空穴传输层与发光层之间的另一个层中使用相同的材料来实现。

另外需要在可见区(VIS区)中仅具有低吸收的空穴传输材料-掺杂剂组合。现有技术中已知的p型掺杂剂例如NDP-2(可从Novaled AG购得)或氧化钼掺杂剂与标准的空穴传输材料组合在VIS区中具有吸收。在VIS区中不存在显著吸收带是非常需要的，因为在VIS区中的吸收影响OLED的发光特性并使其效率劣化。