[发明专利]静电电容型传感器

权利要求书

1.一种静电电容型传感器，其特征在于包括：

中央电极层；

第1介电层，层叠于所述中央电极层的上表面；

第2介电层，层叠于所述中央电极层的下表面；

第1外侧电极层，形成于所述第1介电层的与所述中央电极层侧为相反侧的面；

第2外侧电极层，形成于所述第2介电层的与所述中央电极层侧为相反侧的面，

所述第1介电层及所述第2介电层为弹性体制，

将所述中央电极层及所述第1外侧电极层的相向的部分作为第1检测部，将所述中央电极层及所述第2外侧电极层的相向的部分作为第2检测部，且所述静电电容型传感器包括：

传感片，能够可逆地变形，且所述第1检测部及所述第2检测部的静电电容相应于变形而变化；以及

计测器，连接于所述中央电极层、所述第1外侧电极层及所述第2外侧电极层，对所述第1检测部及所述第2检测部的静电电容进行测定，

基于将所述第1检测部的静电电容与所述第2检测部的静电电容相加所得的合计静电电容，来计测所述传感片的变形状态。

2.根据权利要求1所述的静电电容型传感器，其中所述中央电极层、所述第1外侧电极层及所述第2外侧电极层均包含含有碳纳米管的导电性组合物。

3.根据权利要求1或2所述的静电电容型传感器，其中所述传感片进而包括第1保护层及第2保护层中的至少一个，所述第1保护层层叠于所述第1外侧电极层的与所述第1介电层侧为相反的一侧，所述第2保护层层叠于所述第2外侧电极层的与所述第2介电层侧为相反的一侧。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的静电电容型传感器，其中所述计测器包括使用交流阻抗计测静电电容的电路。

5.根据权利要求4所述的静电电容型传感器，其中

所述计测器包括CV转换电路，

所述中央电极层连接于所述CV转换电路侧，且在所述第1外侧电极层与所述第2外侧电极层电性连接的状态下连接于所述计测器的交流信号生成侧。

6.根据权利要求4所述的静电电容型传感器，其中

所述计测器包括CF转换电路，

所述中央电极层连接于所述CF转换电路侧，且在所述第1外侧电极层与所述第2外侧电极层电性连接的状态下接地。