[发明专利]芯线支架以及硅的制造方法有效

专利信息
申请号: 201580057911.0 申请日: 2015-10-30
公开(公告)号: CN107108235B 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 石田晴之 申请(专利权)人: 株式会社德山
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 康艳青;姚开丽
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 硅芯 线保持部 芯线支架 近似圆锥台 上表面 硅制造装置 西门子法 线插入孔 电极 倒角部 曲面状 底盘 通电 侧面 制造
【权利要求书】:

1.一种芯线支架,其被安装于在采用西门子法的硅制造装置的底盘上布置的金属电极上,所述芯线支架具有硅芯线保持部,所述硅芯线保持部呈近似圆锥台形状,并且用于保持硅芯线以及向硅芯线通电,

所述芯线支架的特征在于:

在所述硅芯线保持部的近似圆锥台的上表面上形成有用以保持所述硅芯线的硅芯线插入孔,

所述硅芯线保持部具有:所述硅芯线保持部的上表面与侧面所形成的棱形成为曲面状的倒角部,

假设如下所述的圆锥台的上表面的圆的直径为a,底面的圆的直径为b,高度为h,所述硅芯线保持部的、形成为曲面状的所述倒角部的曲率半径为R的情况下,

成立以下的关系,

a<b、a≤h≤15a,并且,a/10≤R≤2b,

其中,所述圆锥台内切有近似圆锥台形状的所述硅芯线保持部。

2.根据权利要求1所述的芯线支架,其特征在于:

所述芯线支架具有呈圆柱形状或圆锥台形状的基部。

3.根据权利要求1或2所述的芯线支架,其特征在于:

所述h与R的关系为:2a≤h≤10a,并且,a/8≤R≤b。

4.根据权利要求1或2所述的芯线支架,其特征在于:

所述芯线支架由碳制成。

5.根据权利要求3所述的芯线支架,其特征在于:

所述芯线支架由碳制成。

6.根据权利要求1或2所述的芯线支架,其特征在于:

形成所述芯线支架的材料具有如下所述的材质:在将硅棒的热膨胀率设为1的情况下,所述材料的热膨胀率为0.7~1.7。

7.根据权利要求3所述的芯线支架,其特征在于:

形成所述芯线支架的材料具有如下所述的材质:在将硅棒的热膨胀率设为1的情况下,所述材料的热膨胀率为0.7~1.7。

8.根据权利要求4所述的芯线支架,其特征在于:

形成所述芯线支架的材料具有如下所述的材质:在将硅棒的热膨胀率设为1的情况下,所述材料的热膨胀率为0.7~1.7。

9.根据权利要求5所述的芯线支架,其特征在于:

形成所述芯线支架的材料具有如下所述的材质:在将硅棒的热膨胀率设为1的情况下,所述材料的热膨胀率为0.7~1.7。

10.一种采用西门子法的多晶硅的制造方法,所述制造方法的特征在于:

利用权利要求1到9中任一项所述的芯线支架,使多晶硅析出在所述硅芯线上。

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