[发明专利]非易失性存储装置及非易失性存储装置的控制方法

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，其包括：

存储单元，其布置在第一配线和第二配线的交叉部处，并包括可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态与第二电阻状态之间变化；

写入电路，其将所述可变电阻元件从所述第一电阻状态改变成所述第二电阻状态，并由此将数据写入在所述存储单元上；以及

电流控制器，其对在执行所述数据的写入时由所述写入电路在所述第一配线或所述第二配线中引起的流动的电流进行控制，并由此将在所述第一配线或所述第二配线中流动的电流限制成预定限制电流值，

其中，所述电流控制器在所述可变电阻元件被改变成所述第二电阻状态之前的时段内将所述预定限制电流值设定成第一限制电流值，并在所述可变电阻元件被改变成所述第二电阻状态之后将所述预定限制电流值从所述第一限制电流值改变成第二限制电流值。

2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述第一限制电流值低于所述第二限制电流值。

3.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述电流控制器在从所述写入电路开始所述数据的写入的操作起经过预定时段之后将所述预定限制电流值改变成所述第二限制电流值。

4.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述电流控制器检测用于将所述可变电阻元件改变成所述第二电阻状态所需的电流是否流经所述第一配线或所述第二配线，并根据检测结果将所述预定限制电流值改变成所述第二限制电流值。

5.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述第一电阻状态是高电阻状态，且所述第二电阻状态是低电阻状态。

6.一种非易失性存储装置，其包括：

存储单元，其布置在第一配线和第二配线的交叉部处，并包括可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态与第二电阻状态之间变化；

写入电路，其将所述可变电阻元件从所述第二电阻状态改变成所述第一电阻状态，并由此擦除所述存储单元中存储的数据；以及

电压控制器，其对在执行所述数据的擦除时由所述写入电路施加至所述第二配线的电压进行控制，并由此将被施加至所述第二配线的电压限制成预定限制电压值，

其中，所述电压控制器在所述可变电阻元件被改变成所述第一电阻状态之前的时段内将所述预定限制电压值设定成第一限制电压值，并在所述可变电阻元件被改变成所述第一电阻状态之后将所述预定限制电压值从所述第一限制电压值改变成第二限制电压值。

7.如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，所述第一限制电压值高于所述第二限制电压值。

8.如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，所述电压控制器在从所述写入电路开始所述数据的擦除的操作起经过预定时段之后将所述预定限制电压值改变成所述第二限制电压值。

9.如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，所述电压控制器检测用于将所述可变电阻元件改变成所述第一电阻状态所需的电流是否流经所述第一配线，并根据检测结果将所述预定限制电压值改变成所述第二限制电压值。

10.如权利要求6所述的非易失性存储装置，其中，所述第一电阻状态是高电阻状态，且所述第二电阻状态是低电阻状态。

11.一种用于控制非易失性存储装置的方法，所述方法包括：

利用写入电路，将可变电阻元件从第一电阻状态改变成第二电阻状态，并由此在存储单元上执行数据的写入，所述存储单元布置在第一配线和第二配线的交叉部处并包括可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态与第二电阻状态之间变化；以及

对在执行所述数据的写入时由所述写入电路在所述第一配线或所述第二配线中引起的流动的电流进行控制，并由此将在所述第一配线或所述第二配线中流动的电流限制成预定限制电流值，

其中，作为对所述电流的控制，在所述可变电阻元件被改变成所述第二电阻状态之前的时段内将所述预定限制电流值设定成第一限制电流值，且在所述可变电阻元件被改变成所述第二电阻状态之后将所述预定限制电流值从所述第一限制电流值改变成第二限制电流值。

12.一种用于控制非易失性存储装置的方法，所述方法包括：

利用写入电路，将可变电阻元件从第二电阻状态改变成第一电阻状态，并由此擦除存储单元上的数据，所述存储单元布置在第一配线和第二配线的交叉部处并包括可变电阻元件，所述可变电阻元件的电阻状态在第一电阻状态与第二电阻状态之间变化；以及

对在执行所述数据的擦除时由所述写入电路施加至所述第二配线的电压进行控制，并由此将被施加至所述第二配线的电压限制成预定限制电压值，

其中，作为对所述电压的控制，在所述可变电阻元件被改变成所述第一电阻状态之前的时段内将所述预定限制电压值设定为第一限制电压值，且在所述可变电阻元件被改变成所述第一电阻状态之后将所述预定限制电压值从所述第一限制电压值改变成第二限制电压值。