[发明专利]热形成选择性钴层的方法

权利要求书

1.一种选择性地沉积钴层的方法，包含以下步骤：

(a)暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中所述基板包含电介质层与金属层，所述电介质层具有暴露的电介质表面，所述金属层具有暴露的金属表面，其中所述第一工艺气体包含含硅烷化合物、含乙烯基硅烷化合物、或醇类；

(b)使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于所述暴露的金属表面上；以及

(c)在选择性地沉积所述钴层之后，暴露所述基板于所述第一工艺气体，以减少所述电介质层的介电常数。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在暴露所述基板于所述第一工艺气体之前或的同时，在200至800摄氏度的温度下暴露所述基板于还原气体，或暴露所述基板于由还原气体形成的等离子体，或暴露所述基板于UV光活化还原气体，以从所述暴露的金属表面及所述暴露的电介质表面移除污染物。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述还原气体包含氮、氨、氢、或醇类。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺气体进一步包含氢气(H₂)及惰性气体。

5.如权利要求1所述的方法，其中在25摄氏度至400摄氏度的温度下暴露所述基板于所述第一工艺气体。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中选择性地沉积所述钴层的步骤进一步包含以下步骤：暴露所述基板于钴前驱物气体。

7.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在200摄氏度至400摄氏度的温度下选择性地沉积所述钴层。

8.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在所述暴露的金属表面上的钴沉积速率对在所述暴露的电介质表面上的钴沉积速率的比例为200:1至3000:1。

9.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述电介质层是具有介电常数在2.2至3的低k电介质层。

10.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述金属层是铜、钨、氮化钛、或钴。

11.如权利要求1至5中任一项所述的方法，进一步包含以下步骤：重复步骤(a)-(b)，以形成所述钴层达预定厚度。

12.一种计算机可读介质，所述计算机可读介质具有被储存在所述计算机可读介质上的指令，所述指令被执行时会使工艺腔室执行选择性地沉积钴层的方法，所述方法如权利要求1至5中任一项所述。