[发明专利]使用堆叠谐振器的无线功率传输

权利要求书

1.一种与主谐振器一起操作的装置，所述主谐振器基本设置在第一平面上，所述主谐振器耦合到电源，所述装置包括：

至少一个次谐振器，基本上设置在第二平面上并且与所述主谐振器的至少一部分共同延伸，

至少一个第三谐振器，设置在第三平面上，其中所述第一平面、所述第二平面以及所述第三平面彼此不同，

所述至少一个次谐振器和所述至少一个第三谐振器是与所述主谐振器电气隔离的寄生线圈，

所述至少一个次谐振器被配置为当与所述主谐振器生成的主磁场耦合时生成次磁场，

所述至少一个第三谐振器被配置为当与所述主谐振器生成的所述主磁场耦合时生成第三磁场，其中合成磁场从所述主磁场、所述次磁场和所述第三磁场之间的增强相互作用而产生，所述合成磁场的高度高于所述主谐振器生成的所述主磁场的高度。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个次谐振器和所述至少一个第三谐振器具有相对于所述主谐振器的配置和布置，使得所述合成磁场具有比由所述主谐振器单独产生的磁场更均匀的场分布。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个次谐振器和所述至少一个第三谐振器具有相对于所述主谐振器的配置和布置，使得所述合成磁场具有与由所述主谐振器单独产生的磁场相比范围不同的场分布。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个次谐振器和所述至少一个第三谐振器具有相对于所述主谐振器的配置和布置，使得所述合成磁场具有场分布，所述场分布具有与由所述主谐振器单独产生的磁场的最大高度不同的最大高度。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个次谐振器至多只在所述主谐振器的一部分上方延伸。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述主谐振器和所述至少一个次谐振器限定比单独所述主谐振器的周界大的周界。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三谐振器不与所述主谐振器重叠。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三谐振器不与所述至少一个次谐振器重叠。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述主谐振器设置在主衬底上，所述至少一个次谐振器设置在次衬底上，所述至少一个第三谐振器设置在第三衬底上，所述主衬底被设置在所述次衬底和所述第三衬底下方。

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第三谐振器与所述主谐振器和所述至少一个次谐振器处于重叠关系。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个次谐振器包括与其串联连接的电容性元件。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述电容性元件的尺寸被定制为使得所述至少一个次谐振器的谐振频率与所述主谐振器的谐振频率基本上相同。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述电容性元件的尺寸被定制为使得所述主谐振器和所述至少一个次谐振器之间的互耦合基本上是最大的。

14.一种生成磁场的方法，包括：

与主谐振器生成的主磁场耦合；和

通过将次谐振器以与所述主谐振器重叠的关系进行对准，从与所述主磁场耦合来生成次磁场，

通过将第三谐振器以与所述主谐振器重叠的关系进行对准，从与所述主磁场耦合来生成第三磁场，

其中所述次谐振器和所述第三谐振器是各自设置在不同平面上的寄生回路，并且所述主磁场、所述次磁场和所述第三磁场之间的增强相互作用产生具有不同于所述主磁场的场分布的合成磁场，所述合成磁场的高度高于所述主谐振器生成的所述主磁场的高度。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述合成磁场的所述场分布比单独所述主磁场的场分布更均匀。