[发明专利]功率半导体接触结构及其生产方法

权利要求书

1.一种用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，该功率半导体接触结构具有至少一个衬底(1)和作为电极的金属模制本体(2)，该衬底和金属模制本体通过基本上无中断的烧结层(3a)而一者烧结在另一者顶上，该烧结层具有多个具有变化的厚度的区域，该金属模制本体(2)采取挠性接触膜(5)的形式，该挠性接触膜具有的厚度使得此接触膜通过其面向该烧结层(3)的这侧(4)基本上覆盖整个表面积地烧结到该烧结层的这些具有变化的厚度的区域上；

所述烧结层(3a)具有多个具有变化的厚度的区域，使得在处于挠性接触膜的形式的金属模制本体中产生局部交替的隆起和凹陷，由此形成波浪状表面。

2.根据权利要求1所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该金属模制本体由具有的熔点比铝的熔点高至少300K的金属构成。

3.根据权利要求1或2所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该金属模制本体由选自下组的金属构成，该组包括Cu、Ag、Au、Mo、W、或其合金和/或混合物。

4.根据权利要求1或2所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该烧结层(3a)包括银并且是通过低温烧结产生的，从而将该衬底(1)与该金属模制本体(2)材料键合。

5.根据权利要求1或2所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该金属模制本体(2)具有基本上恒定的厚度、并且在其背向该烧结层(3a)的外侧上将该烧结层(3a)的变化的厚度再现为不平整表面。

6.根据权利要求1或2所述的功率半导体接触结构，其中，在该具有隆起和凹陷并且与这些具有变化的厚度的区域相适配的接触膜(5)上金属地连接了接触导线或接触条带，其方式为使得该接触导线或接触条带覆盖间以凹陷的至少两个隆起。

7.根据权利要求1或2所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，这些具有变化的厚度的区域是以点状、圆形、螺旋形、或条状区域的限定图案形成的。

8.根据权利要求1或2所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该烧结层(3a)具有70μm或更小的平均厚度。

9.根据权利要求1或2所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该烧结层具有5至20μm的平均厚度。

10.根据权利要求9所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该烧结层具有10至15μm的平均厚度。

11.根据权利要求10所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该烧结层具有10μm的平均厚度。

12.根据权利要求1或2所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该接触膜具有10至105μm的厚度。

13.根据权利要求12所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该接触膜具有15至70μm的厚度。

14.根据权利要求13所述的用于功率半导体模块的功率半导体接触结构，其中，该接触膜具有35μm的厚度。