[发明专利]具有作为沟道区域的锗层的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

沟道区域，形成在锗层中并具有第一导电类型；以及

源极区域和漏极区域，形成在锗层中并且具有不同于第一导电类型的第二导电类型，其中

沟道区域中的氧浓度小于p-n结界面中的氧浓度，所述p-n结界面在源极区域和漏极区域中的至少一个与围绕源极区域和漏极区域中的所述至少一个的区域之间，所述区域具有第一导电类型。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

沟道区域中的氧浓度为1×10¹⁶cm^-3或更少，以及

p-n结界面中的氧浓度大于1×10¹⁶cm^-3。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

沟道区域中的氧浓度为5×10¹⁵cm^-3或更少。

4.根据权利要求1到3中的任一权利要求所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一导电类型是p型，以及

所述第二导电类型是n型。

5.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法的特征在于包括：

形成沟道区域，所述沟道区域形成在锗层中并具有第一导电类型；

在锗层中形成源极区域和漏极区域，所述源极区域和漏极区域具有不同于第一导电类型的第二导电类型；以及

设置氧浓度，使得沟道区域中的氧浓度小于p-n结界面中的氧浓度，所述p-n结界面在源极区域和漏极区域中的至少一个与围绕源极区域和漏极区域中的所述至少一个的区域之间，所述区域具有第一导电类型。

6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于：

设置氧浓度包括在还原气氛中对锗层进行热处理，同时暴露在锗层中要作为沟道区域的区域，而不暴露要作为p-n结界面的区域上的锗层的表面。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于：

热处理包括对以下锗层进行热处理：在其中的沟道区域和p-n结界面中的氧浓度为1×10¹⁶cm^-3或更大。

8.根据权利要求6或7所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于还包括：

在热处理之前将氧引入到要作为沟道区域的区域和要作为p-n结界面的区域中。

9.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于：

设置氧浓度包括选择性地将氧引入到要作为p-n结界面的区域中，而不将氧引入到要作为沟道区域的区域中。

10.根据权利要求5、6、7和9中的任一权利要求所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于：

设置氧浓度包括：设置氧浓度，使得沟道区域中的氧浓度变为1×10¹⁶cm^-3或更少，且p-n结界面中的氧浓度变为大于1×10¹⁶cm^-3。