[发明专利]使用漏-源电压的高电流感测方案

权利要求书

1.一种用于测量电流的方法，包括：

在偏移校准模式期间利用用偏移控制器来控制的开关来将放大电路的第一和第二输入短路以生成第一输出信号；

将该第一输出信号转换成偏移消去值；

在电流测量模式期间将电流传递通过包括一个或多个金属氧化物半导体晶体管的电源开关，其中所述电流生成跨所述电源开关的电压降，所述电压降包括所述一个或多个金属氧化物半导体晶体管的源极到漏极电压；

跨所述放大电路的第一和第二输入施加所述电压降以生成第二输出信号，其中所述第一输入耦合至所述一个或多个金属氧化物半导体晶体管中的至少一个金属氧化物半导体晶体管的源极并且所述第二输入耦合至所述一个或多个金属氧化物半导体晶体管中的至少一个金属氧化物半导体晶体管的漏极；

将所述第二输出信号转换成电流值；以及

从所述电流值减去所述偏移消去值以生成经偏移补偿的电流值。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个金属氧化物半导体晶体管包括一个或多个p型金属氧化物半导体PMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述放大电路的输出电压移位达等于所述放大电路的电源电压的一半的电压。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

检测所述放大电路的温度改变；

基于检测到的温度改变确定是否要更新所述偏移消去值；以及

若做出了要更新所述偏移消去值的决定，则更新所述偏移消去值。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，确定是否要更新所述偏移消去值包括：

将所述温度改变与阈值作比较；以及

若所述温度改变超过所述阈值，则确定要更新所述偏移消去值。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，更新所述偏移消去值包括：

短路所述放大电路的第一和第二输入以生成第三输出信号；

将所述第三输出信号转换成经更新的偏移消去值。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电源开关包括多个电源开关，并且其中将所述电流传递通过所述电源开关包括：

将所述电流拆分成多个电流；以及

将所述多个电流中的每一者传递通过所述多个电源开关中的相应一者，其中传递通过所述多个电源开关中的每一者的电流生成相应的电压降；

其中所述方法进一步包括对跨所述多个电源开关的诸电压降取平均，以及其中所述诸电压降的平均值跨所述放大电路的所述第一和第二输入被施加以生成所述第二输出信号。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，每个所述电源开关包括一个或多个p型金属氧化物半导体PMOS晶体管。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，跨每个所述电源开关的电压降包括相应的一个或多个PMOS晶体管的源极到漏极电压。

10.一种用于测量电流的装备，包括：

用于在偏移校准模式期间短路放大电路的第一和第二输入以生成第一输出信号的装置；

用于将该第一输出信号转换成偏移消去值的装置；

用于在电流测量模式期间将电流传递通过电源开关的装置，其中所述电流生成跨所述电源开关的电压降，其中所述电源开关包括一个或多个金属氧化物半导体晶体管并且所述电压降包括所述一个或多个金属氧化物半导体晶体管的源极到漏极电压；

用于跨所述放大电路的第一和第二输入施加所述电压降以生成第二输出信号的装置，其中所述第一输入耦合至所述一个或多个金属氧化物半导体晶体管中的至少一个金属氧化物半导体晶体管的源极并且所述第二输入耦合至所述一个或多个金属氧化物半导体晶体管中的至少一个金属氧化物半导体晶体管的漏极；

用于将所述第二输出信号转换成电流值的装置；以及

用于从所述电流值减去所述偏移消去值以生成经偏移补偿的电流值的装置。