[发明专利]用于工艺窗口特征化的虚拟检验系统有效
申请号: | 201580059576.8 | 申请日: | 2015-11-23 |
公开(公告)号: | CN107078073B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | L·卡尔森迪;K·巴哈斯卡尔;M·瓦格纳;B·达菲;V·拉马钱德兰 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 工艺 窗口 特征 虚拟 检验 系统 | ||
1.一种经配置以检测样品上的缺陷的系统,其包括:
检验系统,其经配置以使能量扫描遍及所述样品,同时从所述样品检测能量以借此产生所述样品的图像,其中所述检验系统产生具有两种或更多种模式的所述样品的所述图像,所述两种或更多种模式由用于产生所述样品的所述图像的所述检验系统的参数值定义,其中所述检验系统包括照明子系统,所述照明子系统经配置以将所述能量引导到所述样品,扫描子系统经配置以使得所述能量扫描遍及所述样品,以及包括检测器的一或多个检测通道,所述检测器经配置以检测来自所述样品的所述能量,其中所述两种或更多种模式具有所述照明子系统的一或多个不同参数,所述一或多个检测通道的一或多个不同参数,或两者的结合,且其中使用对所述样品执行的制造工艺的光刻步骤的一或多个参数的不同值在所述样品上形成至少两个裸片;
存储媒体,其经配置以存储由所述检验系统产生的所述样品的所述图像,其中使用所述检验系统的所述两种或更多种模式来产生经存储图像;以及
一或多个计算机子系统,其经配置以:
比较在所述样品上的使用所述制造工艺的所述光刻步骤的所述一或多个参数的所述不同值中的至少两者形成具有相同如所设计的特性的图案的位置处产生的所述经存储图像的部分,其中经比较的所述经存储图像的所述部分包括仅使用所述两种或更多种模式中的一种产生的所述经存储图像的部分;及
基于所述比较的结果检测所述位置处的缺陷,其中所述比较和所述检测仅以所述两种或两种以上模式中的另一种分别对所述样品上的所述位置处产生的所述经存储图像的部分执行。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述存储媒体和所述一或多个计算机子系统并非所述检验系统的部分且并不具有处理所述样品的任何能力。
3.根据权利要求1所述的系统,其中所述存储媒体和所述一或多个计算机子系统进一步配置为虚拟检验系统。
4.根据权利要求1所述的系统,其中由所述存储媒体存储的所述图像包括在所述扫描和所述检测期间由所述检验系统针对所述样品产生的全部所述图像。
5.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于所述经检测缺陷确定用于所述制造工艺的工艺窗口。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以确定所述经检测缺陷中的哪些是系统性缺陷。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于所述经检测缺陷识别用于所述样品的设计中的热点。
8.根据权利要求1所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以:在使所述能量扫描遍及所述样品且从所述样品检测所述能量时比较在所述位置的两者处产生的所述经产生图像;基于比较所述经产生图像的结果检测缺陷;和对于所述缺陷中的一者,针对具有与形成在所述位置中的所述两者处的所述图案相同的如所设计特性的图案的其它位置搜索用于所述样品的设计。
9.根据权利要求8所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于在所述位置中的所述两者和所述其它位置处产生的所述经存储图像而确定用于所述图案的一或多个统计数据。
10.根据权利要求8所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于在所述位置中的所述两者和所述其它位置处产生的所述经存储图像而确定所述缺陷中的所述一者的灵敏度。
11.根据权利要求8所述的系统,其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于在所述位置中的所述两者和所述其它位置处产生的所述经存储图像而确定用于所述制造工艺的工艺窗口。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造