[发明专利]发光装置

说明书

本申请公开了一种高能量LED，特别是基于n‑极技术的LED，包括基于钨/钼氧化物并且采用Eu³⁺活化的转换器材料。令人惊讶地，这些材料不显示任何饱和。

技术领域

本发明涉及发光装置领域，特别是LED。

背景技术

关于LED，由于日益增长的需求，近年来注意到存在从经典的蓝色LED到所谓的“氮化镓基氮化镓”或“n-极”、“非极性”或“半极性”技术的改变，它们能够以更高的电流密度操作并且从其中产生显著更高的发光效率/输出。此外，为了产生可见光辐射，特别是(暖)白光，需要相应的转换器材料，该转换器材料转换由半导体芯片产生的UV-A或蓝色初级辐射，使得可以产生相应颜色的光。

作为上述LED技术的替代，还考虑了其它LED技术，其能够通过实现每平方毫米发光表面的更高电流来产生特别高的辐射功率，例如被称为“3D”-LED或纳米LED或纳米线LED技术的LED技术。

可选地，还考虑了基于激光技术的解决方案，即其中通过激光器产生UV-A或蓝色初级辐射。

当蓝色LED和黄色荧光材料组合使用时，可以产生显色指数相对较低的(冷)白光。为了实现高显色指数，使用RGB系统是必需的，其中在蓝色发光半导体元件的情况下，绿色和红色发光是必需的，并且在UV-A发光半导体元件的情况下，蓝色、绿色或黄色和红色发光荧光材料是必需的。

这些新技术，特别是n-极技术，通常与现有的转换器材料一起使用，然而，这具有的缺点是，由于与这些转换器材料相关联的大部分的高饱和度，特别是关于红色发光转换器材料，n-极技术的优点不能最佳地利用。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种能够至少部分克服这些缺点的改进的发光装置。因此，提出了一种发光装置，包括发射具有≥4W_opt/mm²的辐射功率的UV-A或蓝色初级辐射的半导体部件，以及主要包括选自以下列表的材料的转换器材料：

A₃AE₂(Ln_1-x-yEu_x)₃(MO₄)₈:RE_y

ALn_1-x-yEu_xM₂O₈:RE_y

(Ln_1-x-yEu_x)₂M₂O₉:RE_2y

(Ln_1-x-yEu_x)₂M₃O₁₂:RE_2y

(Ln_1-x-yEu_x)₂M₄O₁₅:RE_2y

(Ln_1-x-yEu_x)₆MO₁₂:RE_6y

(AE_1-2x-yEu_xA_x+y)₃MO₆:RE_3y