[发明专利]半导体器件及其制造方法、半导体模块和电子器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有柱状形状的基座，所述基座包括曲面，所述曲面被弯曲从而向光入射侧凹入；以及

线性图像传感器，在所述线性图像传感器上，每一个都包括光电转换元件的多个像素在一维方向上布置，所述线性图像传感器被固定在所述曲面上，其中在所述曲面上由所述多个像素形成的光接收区域被弯曲从而向所述光入射侧凹入。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述光接收区域上的各像素距透镜的中心的距离相同，其中所述透镜允许来自物体的光入射在所述光接收区域上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述线性图像传感器利用如下材料固定在所述基座的所述曲面上：不具有发热或热历史的高粘合剂材料，或者即使当发生所述发热或所述热历史时也能够缓和或跟随所述发热或所述热历史的材料。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

不具有所述发热或所述热历史的所述高粘合剂材料是硅基或环氧基材料，并且

即使当发生所述发热或所述热历史时也能够缓和或追随所述发热或所述热历史的所述材料，是树脂焊料或柔性粘合剂。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述线性图像传感器被固定以覆盖整个的曲面或大部分的所述曲面。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述线性图像传感器的厚度是薄的。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

将形成有电路的晶片切割成带状晶片的工序，其中在所述带状晶片上形成有多个线性图像传感器，并且在所述线性图像传感器上，每一个都包括光电转换元件的多个像素在一维方向上布置；

将所述带状晶片固定在具有柱状形状的基座上的工序，所述基座包括曲面，所述曲面被弯曲从而向光入射侧凹入；以及

针对每个线性图像传感器切割所述基座以制造芯片的工序，其中所述基座上固定有所述带状晶片。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，其中

所述带状晶片的厚度是薄的。

9.一种半导体模块，包括：半导体器件；光学透镜系统；和信号处理单元，其中

所述半导体器件包括：

具有柱状形状的基座，所述基座包括曲面，所述曲面被弯曲从而向光入射侧凹入；以及

线性图像传感器，在所述线性图像传感器上，每一个都包括光电转换元件的多个像素在一维方向上布置，所述线性图像传感器被固定在所述曲面上，其中在所述曲面上由多个像素形成的光接收区域被弯曲，从而向所述光入射侧凹入。

10.一种电子设备，包括：

半导体器件包括

具有柱状形状的基座，所述基座包括曲面，所述曲面被弯曲从而向光入射侧凹入；以及

线性图像传感器，在所述线性图像传感器上，每一个都包括光电转换元件的多个像素在一维方向上布置，所述线性图像传感器被固定在所述曲面上，其中在所述曲面上由多个像素形成的光接收区域被弯曲，从而向所述光入射侧凹入。