[发明专利]用于高电压集成电路电容器的方法和设备

权利要求书

1.一种电容器结构，其包括：

半导体衬底；

底板，其包括覆盖所述半导体衬底的导电层；

沉积的电容器电介质层，其覆盖所述底板的至少一部分并且在第一区中具有大于6 μm的第一厚度；

倾斜过渡区，其位于所述第一区的边缘处的电容器电介质中，所述倾斜过渡区具有从水平面倾斜大于5度的上表面，并且从所述第一区延伸到具有低于所述第一厚度的第二厚度的所述电容器电介质层的第二区；以及

形成的顶板导体，其在所述第一区中覆盖所述电容器电介质层的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层是氧化物，并且所述电容器结构包括在所述电容器电介质层与所述底板之间形成的至少一个电介质材料层，其进一步包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层是在单个沉积步骤中形成的单片层。

4.根据权利要求3所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层包括通过TEOS沉积工艺形成的氧化物。

5.根据权利要求2所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层包括使用多个沉积步骤形成的多个电介质层。

6.根据权利要求5所述的电容器结构，其中使用多个氧化物沉积步骤形成所述多个电介质层。

7.根据权利要求6所述的电容器结构，其中使用多个TEOS沉积步骤形成所述多个电介质层。

8.根据权利要求2所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层包括形成为交替的压缩应力层和拉伸应力层的多个电介质。

9.根据权利要求8所述的电容器结构，其中所述多个电介质层形成为包括二氧化硅的多个层。

10.根据权利要求9所述的电容器结构，其中使用二氧化硅的多个TEOS沉积步骤形成所述多个电介质层中的至少两个。

11.根据权利要求2所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层和所述至少一个电介质层的厚度之和大于8 μm。

12.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层的厚度在6 μm与15 μm之间。

13.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层进一步包括在所述电容器电介质层与所述顶板导体之间形成的上层，所述上层包括二氧化硅和氮氧化硅。

14.根据权利要求13所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层的所述上层进一步包括在所述上层中形成的开口。

15.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层进一步包括小于所述半导体衬底的总表面积的35%的面积。

16.根据权利要求1所述的电容器结构，其中所述电容器电介质层进一步包括在所述半导体衬底的总表面积的25%与35%之间的面积。